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HY628100ALLG-70I 发布时间 时间:2025/9/1 15:10:37 查看 阅读:21

HY628100ALLG-70I 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于异步SRAM类别。该器件以其高可靠性和稳定性广泛应用于各种需要高速存储的电子系统中。该SRAM芯片具有128K x 8位的存储容量,适用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块以及其他需要快速数据存取的场景。该器件采用TSOP封装形式,适用于表面贴装工艺,符合工业级温度范围(-40°C至+85°C),适合在各种严苛环境下运行。

参数

容量:128K x 8位
  访问时间:70ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  电源电压:3.3V
  最大工作频率:约14.28MHz(受限于访问时间)
  接口类型:并行异步接口
  数据保持电压:2V以上可保持数据

特性

HY628100ALLG-70I 是一款高性能异步SRAM芯片,其70ns的访问时间确保了快速的数据读写能力,适用于对响应时间有较高要求的应用。该芯片采用CMOS技术制造,具有低功耗的特点,能够在待机模式下显著减少功耗,适用于对能效敏感的设计场景。此外,该器件的电源电压为3.3V,兼容当前主流的低电压系统,同时具备较宽的工作温度范围(-40°C至+85°C),适合工业级应用环境。其54引脚TSOP封装结构不仅有助于节省PCB空间,而且便于自动化生产与贴装。
  在功能方面,该SRAM芯片提供标准的并行异步接口,支持常见的地址、数据和控制信号线,包括地址锁存使能(ALE)、读使能(OE)、写使能(WE)等信号,方便与各种微控制器或嵌入式处理器配合使用。此外,该器件具备数据保持特性,在系统断电或进入低功耗模式时,只要电源电压维持在2V以上,即可保持存储内容不丢失,适用于需要临时数据存储的应用场景。其高稳定性和良好的抗干扰能力使其在工业控制系统、通信设备、测试仪器等领域中表现出色。

应用

HY628100ALLG-70I SRAM芯片主要应用于需要高速缓存或临时数据存储的嵌入式系统,如工业控制器、通信模块、网络设备、医疗仪器、测量仪表和消费类电子产品等。由于其异步接口设计,它特别适合与MCU或DSP等处理器配合使用,用于存储临时变量、缓冲数据或程序代码。此外,其工业级温度范围和低功耗特性使其适用于户外设备、车载系统及远程监控设备等复杂环境中的数据存储需求。

替代型号

CY62148E-S70SXC, IDT71V128SA70PI, IS61LV128AL70B4I

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