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HY628100ALLG-70 发布时间 时间:2025/9/2 11:25:43 查看 阅读:9

HY628100ALLG-70 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片是一种高速、低功耗的CMOS SRAM,通常用于需要快速数据访问的应用场景。该型号的容量为128K x 8位,即总共1M位的存储空间,采用55ns的访问时间,适合高速缓存和嵌入式系统中的使用。

参数

类型:静态随机存取存储器(SRAM)
  容量:128K x 8位(1Mbit)
  工作电压:3.3V 或 5V(视具体版本而定)
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  数据保持电压:最低可降至1.5V(部分型号)
  封装尺寸:标准SRAM封装

特性

HY628100ALLG-70 是一款高性能的SRAM芯片,具有以下主要特性:
  高速访问能力:其55ns的访问时间使其适用于需要快速数据读写的系统,例如网络设备、工业控制和通信设备。
  低功耗设计:在待机模式下,电流消耗非常低,有助于延长电池供电设备的使用时间。
  宽电压支持:支持3.3V或5V工作电压,增加了其在不同系统中的兼容性。
  数据保持功能:在低电压条件下仍能保持存储数据,确保系统断电时数据不丢失。
  高可靠性:符合工业级温度标准,适合在恶劣环境下使用。
  封装紧凑:采用TSOP封装,适合高密度电路板设计,有助于缩小设备体积。

应用

HY628100ALLG-70 SRAM芯片广泛应用于多种嵌入式系统和工业设备中,包括:
  高速缓存存储器:用于微处理器或微控制器系统中,作为高速缓存以提高系统性能。
  工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、测量仪器和自动化系统。
  网络与通信设备:如路由器、交换机和基站控制器。
  消费电子产品:如打印机、扫描仪、数码相机和智能家电。
  汽车电子系统:用于车载导航、信息娱乐系统和车辆控制单元。

替代型号

ISSI IS62WV1288ALLBLL-55NLI、Alliance AS7C1288AVBLLBINKI-7S、Cypress CY62148EVLL、Renesas IDT71V128SA

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