时间：2025/7/16 16:14:52
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TD1E15LPH-C 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-263（DPAK），能够提供出色的散热性能，同时其引脚布局便于焊接和安装。由于其良好的电气特性和稳定性，TD1E15LPH-C 广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：450pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-263
1. 超低导通电阻，可显著降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，适用于高频应用环境。
3. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 内置防静电保护功能，提高了器件的抗干扰能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 可靠的热性能，适合长时间高温运行环境。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率开关元件。
3. 负载开关，用于保护后级电路免受过流或短路影响。
4. LED 驱动器中的调光和恒流控制。
5. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
6. 汽车电子系统中的电源管理与控制。
IRF540N
FDP15N10
STP15NF06L
