容量：128K x 8位
　　电压范围：3.3V ± 10% 或 5V ± 10%
　　访问时间：10ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　输入/输出电压兼容性：5V/3.3V兼容
　　最大工作频率：100MHz（基于访问时间计算）
　　功耗：典型值约100mA（工作模式）

HY628100ALLG-10 SRAM芯片具备高速访问能力，访问时间仅为10ns，适用于对响应速度要求较高的应用环境。其128K x 8位的存储结构提供了1Mbit的有效存储容量，适合用作缓存或临时数据存储。该芯片支持3.3V和5V电源供电，并且输入/输出引脚兼容3.3V和5V电压标准，便于与不同电压系统的连接和兼容。
　　此外，HY628100ALLG-10采用TSOP（薄型小外形封装）封装形式，有助于节省PCB空间并提高系统集成度。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）确保了在各种恶劣环境条件下仍能稳定运行。该芯片设计为异步模式，无需外部时钟信号，简化了时序控制逻辑，适用于传统嵌入式系统和接口设计。
　　为了降低功耗，HY628100ALLG-10还支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度睡眠模式，从而在不使用存储器时减少能耗，延长设备的电池寿命或降低系统整体功耗。这种灵活性使其成为多种高性能、低功耗应用的理想选择。

HY628100ALLG-10 SRAM芯片广泛应用于工业自动化设备、网络通信设备、嵌入式系统、测试测量仪器以及高端消费电子产品中。其高速访问能力和宽温度范围特别适合需要可靠数据存储和快速响应的实时控制系统。此外，该芯片也常用于图像处理、数据缓冲、高速缓存等对存储性能有较高要求的应用场景。

CY62148EVLL-10ZXC, IDT71V416SA10PFGI, IS61LV10248ALLB10