容量：64Kbit（8K x 8）
　　电源电压：5V
　　访问时间：10ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：28
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　数据保持电压：最低2V
　　最大工作电流：约120mA
　　待机电流：最大10mA

HY6264ALJ10具有多项优良特性，首先是其高速访问能力，10ns的访问时间使其适用于高性能嵌入式系统和实时控制系统。其次，该芯片采用CMOS技术，使其在保持高速性能的同时具备较低的功耗，在待机模式下电流消耗极低，适合需要节能的应用场景。
　　此外，该芯片具有TTL兼容的输入/输出电平，使其能够方便地与多种微控制器和外围设备连接。其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级温度要求，可在各种恶劣环境下稳定运行。
　　HY6264ALJ10还具备数据保持功能，在电源电压下降至2V时仍可保持数据不丢失，适用于需要在断电情况下保留关键数据的应用。封装采用TSOP 28引脚形式，体积小巧，适合高密度电路板布局。

HY6264ALJ10 SRAM芯片主要应用于需要高速、低功耗和数据保持能力的电子系统中。典型应用包括工业控制系统中的数据缓存、网络通信设备的数据存储、嵌入式系统的临时存储器、智能卡终端、测试仪器以及便携式设备。
　　在工业控制领域，该芯片可作为PLC（可编程逻辑控制器）或自动化设备中的临时数据存储器，确保高速响应和数据可靠性。
　　在网络设备中，HY6264ALJ10可用于路由器或交换机的高速缓存，提升数据处理效率。
　　在嵌入式系统中，该芯片常用于需要频繁读写且对速度有要求的场合，如图像处理模块、传感器数据存储等。
　　由于其宽温度范围和低功耗特性，该芯片也适用于户外或移动设备中的数据缓存应用。

CY6264BV10LL-55SC, IDT7164SA10Y, IS62C64ALB10TI