HY6264A 是由 Hynix(现为 SK Hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为 8K x 8 位,即总共 64Kbit 的存储容量。该芯片广泛应用于需要高速数据存取的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。HY6264A 采用 CMOS 技术制造,具有低功耗、高速访问时间和高可靠性等优点。其标准封装形式为 28 引脚 DIP 或 SOP,适用于多种工业标准电路设计。
容量:64Kbit(8K x 8)
组织方式:x8
电源电压:5V
访问时间:55ns/70ns/100ns(根据后缀不同)
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
封装形式:28DIP、28SOP
输入/输出电平:TTL 兼容
最大功耗:典型 200mA(运行模式)
待机电流:最大 10mA
HY6264A SRAM 芯片采用先进的 CMOS 技术制造,确保了低功耗和高稳定性。其高速访问时间(最快可达 55ns)使其适用于需要快速数据读写的应用场景。该芯片具有 TTL 兼容的输入和输出电平,便于与多种微控制器和处理器接口连接。此外,HY6264A 支持宽温度范围工作,适应工业级环境下的稳定运行。其待机模式下的低电流消耗(最大 10mA)使其在低功耗应用中具有优势。该芯片的可靠性和稳定性经过广泛验证,是工业控制、测量设备、通信模块等领域的常用存储器解决方案。
HY6264A 提供多种访问时间选项(如 55ns、70ns、100ns),满足不同系统时序要求。封装形式包括 28 引脚双列直插式封装(DIP)和表面贴装封装(SOP),便于根据 PCB 设计需求选择合适的封装类型。此外,该芯片具备全地址和数据缓冲能力,提升系统数据传输的效率和稳定性。
HY6264A 主要用于需要高速、低功耗、高稳定性的存储器应用,例如嵌入式系统中的临时数据存储、缓存、工业控制设备中的运行内存、通信模块的数据缓冲器、测量仪器的中间数据存储以及消费类电子产品中的高速缓存单元。该芯片也常见于老式工业计算机、自动化设备、智能卡读写器、测试设备和医疗电子设备中,为系统提供快速可靠的数据存取能力。
IS62C64AL, CY6264B, IDT7164, MB8464