时间：2025/4/29 10:41:44
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TE1533N是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
TE1533N通过优化的工艺设计实现了较低的栅极电荷和快速开关性能，使其非常适合高频应用环境。此外，其具备出色的热稳定性和鲁棒性，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：60mΩ
栅极电荷：9nC
总电容：440pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻确保了高效能转换，减少了功率损耗。
2. 快速开关速度有助于提高系统的整体效率，并降低电磁干扰。
3. 高电流处理能力使得TE1533N适用于多种大功率应用场景。
4. 宽广的工作温度范围使其在极端环境下依然可靠。
5. TO-252封装形式提供了良好的散热性能和电气连接稳定性。
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 电池管理系统的充放电控制电路。
3. 电机驱动电路中的功率级开关元件。
4. 负载开关以实现设备的动态功耗管理。
5. 各种需要低导通电阻及快速开关特性的工业与消费类电子领域。
IRLZ44N
FDP5503
AON6111
