HY62256BLLJ-55 时间：2025/9/3 18:23:11 阅读：12

HY62256BLLJ-55 是由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的一款静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为 32K x 8 位，即总共 256K 位。该芯片采用高速 CMOS 技术制造，适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。其封装形式为 28 引脚 PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier），适合嵌入式系统、工业控制设备和通信设备等领域的使用。

参数

类型：SRAM
　　容量：32K x 8 位（256KB）
　　电压范围：5V
　　访问时间：55ns
　　封装形式：28 引脚 PLCC
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行
　　功耗：典型值 100mA（运行模式）

特性

HY62256BLLJ-55 SRAM 芯片具备高速存取能力，访问时间仅为 55 纳秒，确保了系统运行的高效性。其采用 CMOS 技术，使得芯片在运行过程中具有较低的功耗，非常适合对能耗有要求的应用场景。该芯片支持全地址解码，确保了数据访问的准确性和稳定性。HY62256BLLJ-55 的封装形式为 28 引脚 PLCC，便于安装和焊接，广泛用于嵌入式系统的扩展内存设计。此外，该芯片具有宽广的工作温度范围（-40°C 至 +85°C），能够适应各种复杂的工作环境，确保系统在极端条件下也能稳定运行。
　　HY62256BLLJ-55 还具备数据保持功能，在低功耗模式下仍能保持数据不丢失，适用于需要长时间保存数据的应用场景。其高可靠性和稳定性使其成为工业控制、通信设备、测量仪器等领域的理想选择。

应用

HY62256BLLJ-55 常用于需要高速存储和低功耗设计的嵌入式系统中，如工业控制器、数据采集设备、通信模块、测量仪器、医疗设备和消费类电子产品等。其高速存取特性使其适用于缓存存储器、数据缓冲区、实时系统内存等场景。此外，由于其工业级工作温度范围，该芯片也常用于户外设备和工业自动化系统中，以确保在恶劣环境下仍能稳定运行。