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HY14P10D 发布时间 时间:2025/9/2 5:52:30 查看 阅读:5

HY14P10D 是一款由国产厂商生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、开关电路和功率放大器等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合于各种中高功率应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):10A
  漏极-源极电压(VDS):100V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):≤0.45Ω @ VGS=10V
  工作温度范围:-55℃~150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

HY14P10D MOSFET 具备多项优异的电气和物理特性,使其在各种功率应用中表现出色。
  首先,该器件采用了先进的沟槽栅技术,使得导通电阻显著降低,从而减少了导通状态下的功率损耗,提高了整体能效。其导通电阻 RDS(on) 在 VGS=10V 时可低至 0.45Ω,有助于在高电流条件下保持较低的温升。
  其次,HY14P10D 具有较高的最大漏极电流能力(ID=10A),能够满足中高功率应用对电流承载能力的需求。同时,漏极-源极击穿电压为 100V,适用于多种直流电源系统,如工业控制、电机驱动、LED驱动电源等。
  该MOSFET的栅极-源极电压容限为 ±20V,增强了在高电压驱动条件下的稳定性和可靠性。其 TO-252(DPAK)封装形式具备良好的散热性能,适合表面贴装工艺,便于在紧凑的电路板布局中使用。
  此外,HY14P10D 还具备良好的热稳定性,能够在 -55℃ 至 150℃ 的宽温度范围内稳定工作,适用于工业级和汽车电子等严苛环境的应用场景。

应用

HY14P10D MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. **电源管理系统**:如DC-DC转换器、电池充电器和稳压电路等,其低导通电阻和高电流能力可提高电源转换效率。
  2. **电机驱动电路**:用于小型电机、风扇、泵等设备的开关控制,提供高效、可靠的功率输出。
  3. **负载开关与继电器替代**:由于其快速开关特性和低损耗,常用于替代机械继电器,实现更长的使用寿命和更高的响应速度。
  4. **LED照明驱动**:适用于高亮度LED驱动电路,提供稳定的电流控制和高效的功率管理。
  5. **工业自动化控制**:用于PLC、传感器模块、执行机构控制等工业控制系统中,确保设备在复杂环境下的稳定运行。

替代型号

IRF540N, STP10NK50Z, FQP10N10L

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