容量：32K x 8位
　　访问时间：10ns
　　电源电压：5V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：32
　　工作温度范围：0°C至70°C（C版本）或-40°C至85°C（I版本）
　　接口类型：并行
　　读取电流：最大120mA
　　待机电流：最大10mA

HY62256ALT1-10C具备多项显著特性，首先其高速访问时间（10ns）使其适用于需要快速数据存取的应用，如缓存、图形处理和实时控制系统。该SRAM芯片采用CMOS工艺制造，具备低功耗和高抗噪性能，能够在复杂电磁环境中稳定运行。
　　此外，该芯片支持并行接口，允许CPU或控制器直接访问内存地址和数据总线，提高了系统的整体性能。其封装形式为TSOP，体积小巧，便于在空间受限的PCB设计中使用。
　　HY62256ALT1-10C 还具备良好的稳定性和兼容性，支持多种微处理器和控制器的接口标准，适用于多种嵌入式系统。其工作温度范围覆盖工业级标准，无论是民用设备还是工业设备均可使用。
　　最后，该芯片具备较低的待机电流，在系统空闲时可显著降低功耗，延长设备的电池寿命，同时减少发热，提高系统的可靠性。

HY62256ALT1-10C SRAM芯片广泛应用于多个领域。在嵌入式系统中，它常用于高速缓存、图形缓存或临时数据存储，例如在单片机系统、FPGA开发板或图像处理模块中。工业控制设备如PLC（可编程逻辑控制器）、工业计算机和自动化设备也常使用该芯片作为临时数据存储单元。
　　此外，HY62256ALT1-10C 也广泛应用于消费类电子产品，如打印机、扫描仪、网络路由器等设备中，用于缓存图像数据或执行快速数据处理任务。在通信设备中，该芯片可用于存储临时数据包或作为缓冲存储器使用。
　　由于其高速性和低功耗特性，HY62256ALT1-10C 也适用于医疗设备、测试仪器和便携式电子设备，确保设备在低功耗模式下仍能保持数据完整性。

CY62257BLL-10SCX, IS62C256ALB-10T, IDT71256SA10PFGI, MB84LC256ZB-10