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GA1210Y183MXCAR31G 发布时间 时间:2025/5/30 17:03:17 查看 阅读:7

GA1210Y183MXCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统效率并减少能耗。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET,适合在高频应用中使用,其出色的电气性能使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:30mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关时间:开通延迟时间 15ns,关断传播时间 20ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

GA1210Y183MXCAR31G 的主要特性包括:
  1. 高效的功率转换能力,导通电阻较低,从而降低功耗。
  2. 快速开关速度,适合高频电路设计。
  3. 出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。
  4. 良好的电磁兼容性(EMC),减少了对周围电路的干扰。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  6. 可靠性高,适合长期运行的应用环境。

应用

该芯片适用于多种领域和场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电机驱动器中的功率级控制。
  3. 汽车电子中的负载开关。
  4. 工业自动化设备中的电源管理。
  5. LED驱动器和DC-DC转换器中的核心功率元件。
  6. 各种消费类电子产品中的高效功率处理模块。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5500
  STP10NK60Z
  AUIRF9540

GA1210Y183MXCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-