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HY62256ALRI-70 发布时间 时间:2025/9/1 13:41:37 查看 阅读:8

HY62256ALRI-70 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256K位(32K x 8)。该芯片采用高速CMOS工艺制造,适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。HY62256ALRI-70采用55ns的访问时间,适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统等对速度和稳定性要求较高的应用。

参数

容量:32K x 8位(256Kbit)
  访问时间:55ns
  工作电压:5V
  封装类型:TSOP
  引脚数:28
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装尺寸:约8mm x 14mm
  接口类型:并行接口
  最大工作频率:约18MHz
  读写模式:异步SRAM

特性

HY62256ALRI-70具备高速访问能力和低功耗设计,适用于各种嵌入式系统和工业控制应用。其高速CMOS工艺确保了稳定性和可靠性,能够在恶劣的工业环境中长时间运行。该芯片采用异步控制方式,无需外部时钟信号,简化了系统设计。此外,其低待机电流特性使得在非活跃状态下功耗显著降低,适合需要节能设计的系统。HY62256ALRI-70还具有良好的抗干扰能力和高噪声抑制性能,适用于高频和高稳定性要求的系统。工业级温度范围使其适用于户外设备、工业自动化、通信基础设施等复杂环境。
  该芯片的TSOP封装形式不仅减小了PCB占用空间,还提高了高频性能和散热能力,适合高密度布局的电子设备。此外,其兼容性强,能够与多种微控制器和嵌入式平台无缝对接,提升了系统集成的灵活性。

应用

HY62256ALRI-70广泛应用于工业控制设备、通信模块、嵌入式系统、医疗设备、测试仪器、数据采集系统、智能仪表等领域。其高速和低功耗特性使其成为实时系统和需要快速数据缓存的首选存储器。在工业自动化中,该芯片可用于PLC、运动控制卡和数据记录设备;在通信领域,可用于路由器、交换机和无线基站等设备的数据缓存单元。此外,该芯片也适用于需要可靠存储和高速访问的消费类电子产品,如打印机、扫描仪、游戏设备等。

替代型号

CY62148BLL-55ZXI, IDT7164SA18BF3A, AS6C62256-55PCN

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