HY62256ALP-10是一款由现代半导体(Hyundai Semiconductor)生产的静态随机存取存储器(SRAM)。这款芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高速度的特点。它提供了256K x 8位的存储容量,适合用于需要高性能和稳定数据存储的应用场景。
该器件的工作电压范围为+4.5V至+5.5V,能够以高达10ns的访问时间进行数据读写操作。此外,HY62256ALP-10采用了PLCC-32封装形式,这种封装方式不仅便于焊接,还具有良好的电气性能和散热能力。
存储容量:256K x 8位
访问时间:10ns
工作电压:+4.5V 至 +5.5V
封装形式:PLCC-32
引脚数量:32
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据保持时间:无限期
平均无故障时间(MTBF):超过1亿小时
1. 高速性能:HY62256ALP-10支持10ns的快速访问时间,非常适合需要实时处理数据的应用环境。
2. 低功耗设计:通过优化CMOS工艺,该芯片在待机模式下可以显著降低功耗,延长设备使用寿命。
3. 稳定性高:无论是工业级还是商业级应用,HY62256ALP-10都能提供可靠的数据存储功能。
4. 易于集成:PLCC封装形式简化了PCB布局和安装过程,同时具备出色的信号完整性。
5. 广泛的工作温度范围:能够在极端环境下正常运行,适应性强。
HY62256ALP-10广泛应用于各种需要高性能数据缓存和临时存储的场合,包括但不限于以下领域:
1. 工业控制:如PLC、数控机床等设备中的数据缓冲区。
2. 通信设备:路由器、交换机等网络设备中的包缓存。
3. 消费类电子产品:打印机、扫描仪等外设中的图像或数据暂存。
4. 嵌入式系统:用作处理器的外部缓存,提升整体系统性能。
5. 测试测量仪器:示波器、频谱分析仪等设备中的数据记录单元。
IS61LV256AL-10TLI, AS6C256-10LUN, M5M20256GL-10