容量：32K x 8 = 256K 位
　　组织方式：8 位数据总线
　　电源电压：5V
　　访问时间（tRC）：55 ns / 70 ns / 85 ns（根据后缀不同）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装引脚数：28 引脚
　　输入/输出逻辑电平：TTL 兼容

HY62256ALLT1 SRAM 芯片具备多项出色的性能特点：
　　首先，其高速访问时间（最快可达 55ns）确保了数据读写操作的高效性，适合用于需要快速响应的控制系统或缓存应用。
　　其次，芯片采用低功耗 CMOS 技术，在待机模式下功耗极低，有助于延长嵌入式设备的电池寿命或降低整体系统功耗。
　　此外，该芯片具备宽温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业和车载环境，具有良好的稳定性和可靠性。
　　其 28 引脚 TSOP 封装体积小巧，适合高密度 PCB 设计，并具备良好的热稳定性。
　　输入/输出引脚兼容 TTL 电平，方便与多种微控制器和外围设备接口连接，提高了系统设计的灵活性。
　　最后，HY62256ALLT1 还具备自动省电模式，在未被访问时自动进入低功耗状态，进一步提升了能效表现。

HY62256ALLT1 广泛应用于需要高速、低功耗存储的场合。常见的应用包括工业自动化控制系统、嵌入式系统、数据采集设备、通信模块、医疗仪器以及汽车电子控制系统等。由于其高速访问时间和低功耗特性，它也常被用作缓存或临时数据存储单元，适用于需要频繁读写数据的场景，如图形显示缓存、网络设备缓冲区等。此外，该芯片在需要高可靠性的环境中表现出色，因此也广泛用于军事和航空航天等领域的控制系统中。

ISSI: IS62C256AL-45NLI, Cypress: CY62256NLL-55ZS, ON Semiconductor: CAT62C256TDI