HY6116AP-10是一款由Hynix(现代半导体)生产的静态随机存取存储器(SRAM),适用于需要高速数据访问的各种电子设备。这款芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高可靠性的特点,广泛应用于工业控制、通信设备及消费类电子产品中。
该芯片的主要功能是提供临时的数据存储,支持快速读写操作,非常适合用作微处理器的缓存或缓冲存储器。其封装形式通常为DIP(双列直插式封装)或SOJ(小外形J型引脚封装),便于在不同场景下的使用。
容量:16K x 8位=128KB
工作电压:4.5V~5.5V
工作电流:30mA(典型值)
待机电流:2μA(最大值)
存取时间:10ns
数据保持时间:无限
工作温度范围:0°C~70°C
封装形式:DIP-28/SOJ-28
HY6116AP-10具备以下显著特性:
1. 高速存取能力:支持10ns的存取时间,能够满足对速度要求较高的应用场景。
2. 低功耗设计:待机电流仅为2μA,可有效降低设备的整体功耗。
3. 可靠性高:采用先进的CMOS工艺制造,确保在各种环境下的稳定运行。
4. 容量适中:16K x 8位的存储容量可以满足大多数嵌入式系统的需求。
5. 易于集成:支持多种封装形式,方便与现有系统进行集成和使用。
6. 数据保持能力强:即使在断电情况下,也能通过外部电源维持数据完整性。
HY6116AP-10广泛应用于以下领域:
1. 工业控制:如PLC(可编程逻辑控制器)、数据采集系统等。
2. 通信设备:包括路由器、交换机等网络设备中的缓存。
3. 消费类电子产品:如打印机、扫描仪等需要临时数据存储的设备。
4. 嵌入式系统:作为微处理器或微控制器的外部存储扩展模块。
5. 医疗设备:用于存储关键数据和配置信息。
IS61LV256AL-10TLI
AS6C1008-10JC
CY7C130-10PC
M93C46W-10G