容量：16Kbit
　　组织方式：2K x 8
　　访问时间：70ns
　　电源电压：5V
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：28-DIP / 28-SOIC
　　数据保持电压：最小2V
　　待机电流：最大10mA
　　工作电流：最大150mA
　　读写操作模式：异步
　　引脚兼容性：与多数微处理器接口兼容

HY6116-70 SRAM芯片以其70ns的访问时间，为高速数据存取提供了保障，适合用于缓存或需要快速响应的控制系统。其CMOS工艺不仅提升了芯片的集成度，也显著降低了功耗，即使在长时间运行的设备中也能保持稳定的性能。此外，该芯片支持异步读写操作，能够与多种微处理器无缝对接，提高了系统兼容性。
　　这款SRAM具备强大的抗干扰能力和较高的数据保持稳定性，即使在电源电压下降至2V的情况下，也能维持数据不丢失，确保关键信息的安全性。其待机电流仅为10mA，有助于降低设备整体能耗，延长电池供电设备的续航时间。
　　封装方面，HY6116-70 提供28引脚DIP和SOIC两种选项，适应不同电路板设计的需求。该芯片的引脚排列与标准SRAM兼容，方便用户在已有设计中进行替换或升级。

HY6116-70 广泛应用于需要快速数据访问的嵌入式系统中，例如工业控制器、通信模块、测试仪器和老旧的计算机外设。由于其高稳定性和低功耗特性，该芯片也常见于需要长期运行且对可靠性要求较高的设备中，如自动售货机、医疗设备和安防系统。此外，在需要临时存储运行数据的场合，例如缓存存储器或实时数据处理系统中，HY6116-70 也表现出色。

CY62167VLL-70ZE, IDT71V416SA70B, IS61LV25616AL-70B