时间：2025/9/1 15:42:08
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HY5V66FFP-HI 是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片设计用于高性能电子设备，例如计算机、服务器和嵌入式系统，以提供快速的数据存储和访问能力。HY5V66FFP-HI 是一种高速、低功耗的DRAM芯片，适用于需要较高数据处理速度的应用场景。
类型：DRAM
容量：64 Mbit
组织方式：4M x 16
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度：-40°C 至 +85°C
HY5V66FFP-HI 是一款高性能DRAM芯片，具有快速的访问时间和较大的存储容量，适用于需要快速数据处理的应用场景。该芯片采用低功耗设计，使其能够在电池供电设备中有效运行，同时保持高性能。HY5V66FFP-HI 还具备良好的温度适应性，可在较宽的温度范围内稳定工作，确保在各种环境条件下的可靠性。
这款DRAM芯片采用TSOP封装技术，有助于减小电路板空间占用，同时提供良好的散热性能，确保长时间运行的稳定性。此外，其高数据完整性设计和抗干扰能力使其适用于工业级和商业级应用。HY5V66FFP-HI 的设计目标是提供稳定、高效的内存解决方案，满足现代电子设备对存储性能的高要求。
HY5V66FFP-HI 常用于需要高性能内存解决方案的设备，如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费类电子产品和通信设备。由于其高速访问时间和低功耗特性，它也适用于便携式设备和需要快速数据处理的应用场景。此外，该芯片还可用于图形处理、数据存储和缓存系统等领域。
HY5V66F16P-HI, HY5V66F20P-HI
