型号：HY5V26DFNOK
　　类型：DRAM（动态随机存取存储器）
　　容量：256Mb（32M x 8）
　　电源电压：1.7V - 3.3V（多电压支持）
　　接口：x8数据总线
　　封装类型：FBGA（细间距球栅阵列封装）
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　数据传输速率：166MHz（最大）
　　访问时间：5.4ns（最小）
　　刷新周期：64ms
　　组织结构：256Mbit，分为4个Bank
　　时钟频率：166MHz
　　数据宽度：8位
　　功耗：低功耗模式支持

HY5V26DFNOK 具备多项先进的性能特性，首先是低电压操作，支持1.7V至3.3V的宽电压范围，这使其能够适应多种电源管理策略，并有效降低功耗。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不丢失数据的情况下最大限度地减少功耗，延长设备的电池寿命。
　　此外，该DRAM芯片采用x8的数据总线接口，提供较高的数据吞吐能力。其FBGA封装形式不仅提高了封装密度，还增强了热管理和电气性能，适用于空间受限的便携式设备。HY5V26DFNOK支持四个可独立寻址的内存Bank，有助于提高内存访问效率并减少访问延迟。
　　在时钟同步方面，该芯片采用同步动态随机存取存储器（SDRAM）架构，确保数据在时钟信号控制下精确传输，提高了系统的稳定性。此外，其高速访问时间（5.4ns）和最高166MHz的时钟频率，使得该芯片能够在多种高性能嵌入式系统中发挥作用。
　　值得一提的是，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境，能够在极端温度条件下稳定运行。

HY5V26DFNOK 广泛应用于需要低功耗和高稳定性的便携式电子设备中，例如智能手机、平板电脑、便携式游戏机、数码相机、媒体播放器以及嵌入式系统等。此外，该芯片也适用于需要中等容量内存缓冲的工业控制设备、车载娱乐系统和智能穿戴设备等场景。
　　由于其支持多种电压操作和低功耗模式，HY5V26DFNOK非常适合用于电池供电设备，能够有效延长设备的续航时间。在嵌入式系统中，它可用于缓存临时数据、运行程序或作为图像处理的缓冲区，提升整体系统的响应速度和性能表现。
　　在汽车电子领域，该芯片可用于车载导航系统、信息娱乐系统以及ADAS（高级驾驶辅助系统）中的数据缓存模块。其宽工作温度范围也使其在工业自动化设备中具有良好的适应性，例如PLC控制器、智能传感器和工业计算机等。

IS42S16400J-6T、EM636165TS-6H、K4S561632K-F