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BUK9575-100A 发布时间 时间:2025/6/27 11:25:27 查看 阅读:6

BUK9575-100A是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK(TO-252)封装形式,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等场景。其设计特点在于高效率、低导通电阻和快速开关性能,使其在中高功率应用中表现出色。
  BUK9575-100A的工作电压范围为-20V至100V,能够承受较高的漏源极电压,并且具备出色的热稳定性和电气特性,适合需要高性能功率管理的工业和消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏电流:38A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:68nC(典型值)
  输入电容:1440pF(典型值)
  总功耗:110W
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:DPAK(TO-252)

特性

BUK9575-100A具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低导通损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并支持高频操作。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  5. 良好的热稳定性,适用于高温环境下的长时间运行。
  6. 宽工作温度范围,适应各种极端气候条件。
  这些特性使BUK9575-100A成为高效功率转换应用的理想选择。

应用

BUK9575-100A适用于多种功率电子领域,包括但不限于以下应用:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 汽车电子系统中的负载切换
  5. 工业自动化设备中的功率控制
  6. 大功率LED驱动器
  由于其出色的电气特性和可靠性,BUK9575-100A能够在上述应用中提供卓越的性能表现。

替代型号

BUK9570-100B, BUK9570-100E, IRF840

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BUK9575-100A参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压100 V
  • 闸/源击穿电压+/- 15 V
  • 漏极连续电流23 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.072 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Rail
  • 下降时间57 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散98 W
  • 上升时间120 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间58 ns
  • 零件号别名BUK9575-100A,127