时间：2025/9/2 7:19:54
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HY5S7B6ALFP-6E-C 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于移动低功耗DRAM（mLPDRAM）类别，广泛应用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统以及其他对功耗和性能有较高要求的电子产品中。该型号属于LPDDR3 SDRAM系列，采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，具备高存储密度和较低的功耗特性。
存储类型：DRAM
子类型：LPDDR3 SDRAM
容量：4 Gb（512 MB）
数据总线宽度：32位
时钟频率：800 MHz
数据速率：1600 Mbps（双倍数据速率）
电压：1.2V（核心电压VDD），1.2V（I/O电压VDDQ）
封装类型：FBGA
引脚数：134
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
制造厂商：SK Hynix
HY5S7B6ALFP-6E-C 是一款专为低功耗移动应用设计的LPDDR3内存芯片。其主要特性包括高效的能耗管理、高速数据传输能力以及适用于紧凑型设备的小型封装。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在设备待机或低功耗状态下显著降低能耗，延长电池寿命。
这款DRAM芯片采用双倍数据速率（DDR）技术，在每个时钟周期的上升沿和下降沿都传输数据，从而实现了更高的数据带宽。其1600 Mbps的数据速率使得它适用于需要高性能内存支持的应用场景，如图形处理、多任务操作系统和高清视频播放。
此外，HY5S7B6ALFP-6E-C 的FBGA封装方式提供了良好的电气性能和热管理能力，确保在高频率运行下的稳定性和可靠性。其工作温度范围较宽，适用于工业级和消费级应用场景。
HY5S7B6ALFP-6E-C 主要应用于对功耗敏感且需要较高内存带宽的电子设备，例如智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、车载娱乐系统以及工业控制设备。该芯片也常用于嵌入式系统中，作为主内存（RAM）使用，以支持复杂操作系统和高性能应用程序的运行。
HY5S7B6ALFP-6E-C 的替代型号包括：H9HP53A8BJA-CEC、H9TQ17ABJTMCUR-EM、H9TP32A4GDDCPR-EM、KMQJ10012M-B304
