容量：64MB
　　组织结构：16M x 4
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　数据速率：166MHz / 143MHz
　　封装类型：54-ball FBGA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据总线宽度：16位
　　刷新周期：64ms
　　CAS延迟（CL）：2.5 / 3

HY5S6B6DSFP-SE 是一款高性能的SDRAM芯片，具有以下几个显著特性：
　　首先，该芯片支持高速数据访问，最高可达166MHz的时钟频率，满足对实时数据处理要求较高的应用场景。其16M x 4的组织结构提供了64MB的存储容量，适合中等规模数据缓存和临时存储需求。
　　其次，HY5S6B6DSFP-SE 的工作电压范围为2.3V至3.6V，适应多种电源环境，提高了设计的灵活性。芯片采用FBGA封装，具有良好的热管理和电气性能，适用于高密度PCB布局。
　　此外，该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，能够在系统休眠或低功耗状态下保持数据完整性，延长电池寿命，适用于便携式设备和低功耗应用。
　　其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在工业级温度环境下稳定运行，适用于户外设备、车载系统和工业控制等苛刻环境。
　　最后，HY5S6B6DSFP-SE 提供16位的数据总线宽度，支持并行数据传输，提升整体系统性能。其CAS延迟支持2.5和3两种模式，可根据系统需求灵活配置，优化读写性能。

HY5S6B6B6DSFP-SE 主要应用于需要高速缓存和中等容量存储的嵌入式系统和工业设备中。例如，在通信设备中，该芯片可用于缓存数据包和临时存储协议栈信息；在工业控制领域，可用于存储实时采集的数据和控制指令；在消费电子产品中，如数码相机、智能家电等，也可作为主控芯片的扩展内存使用。此外，由于其宽温特性和低功耗特性，HY5S6B6DSFP-SE 也适用于车载电子系统和户外监控设备。

IS42S16400F-6T、MT48LC16M16A2B4-6A