时间：2025/8/6 11:42:19
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IXFN180N07 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）推出的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高电流、中压应用而设计。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及出色的热性能，适用于各种功率转换设备，如 DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器和电源管理系统。IXFN180N07 采用 TO-263（D2Pak）封装，具备良好的散热能力和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：75V
最大漏极电流 Id：180A（25°C）
导通电阻 Rds(on)：7.0mΩ（典型值）
栅极电荷 Qg：150nC（典型值）
输入电容 Ciss：4400pF
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263（D2Pak）
IXFN180N07 是一款高性能功率 MOSFET，其关键特性在于低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力。该器件的 Rds(on) 典型值仅为 7.0mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，它能够承受高达 180A 的漏极电流，在高温环境下仍能保持稳定运行。
该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）为 150nC，确保了在高频开关应用中的快速响应能力，同时降低了开关损耗。其输入电容（Ciss）为 4400pF，适合用于同步整流和高频 DC-DC 转换器设计。
IXFN180N07 的工作温度范围宽广，可在 -55°C 至 +175°C 的环境下稳定工作，适用于严苛的工业和汽车应用。采用 TO-263（D2Pak）封装，具备良好的散热性能，简化了 PCB 设计并提高了系统可靠性。
该器件还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压条件下的稳定性，适用于需要高可靠性的应用环境。
IXFN180N07 广泛应用于各种高功率、中压系统中，如 DC-DC 转换器、电机驱动器、电源管理系统、UPS（不间断电源）、逆变器以及汽车电子系统。其低导通电阻和高电流能力使其特别适用于需要高效率和高功率密度的设计。此外，该器件也适用于工业自动化设备和高功率 LED 驱动电源。
IXFN180N075、IXFN180N07T、IRF180N07S、SiR180DP
