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HY5S6B6DLFP-BE 发布时间 时间:2025/9/1 21:56:58 查看 阅读:4

HY5S6B6DLFP-BE 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的低功耗、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于HyperRAM系列。它主要用于需要高速数据缓存和临时存储的应用场景,例如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费电子产品等。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适用于空间受限的高密度电路板设计。

参数

类型:DRAM
  容量:64MB
  数据宽度:16位
  接口:HyperBus接口
  工作电压:2.3V ~ 3.6V
  最大访问频率:166MHz
  封装类型:BGA
  引脚数:54
  温度范围:工业级(-40°C ~ +85°C)

特性

HY5S6B6DLFP-BE 芯片具备低功耗和高性能的双重优势,非常适合便携式设备和需要长时间运行的嵌入式系统。其HyperBus接口设计可以显著减少主控芯片与存储器之间的信号线数量,从而简化PCB布线,降低系统复杂度。此外,该芯片支持自动刷新和自刷新功能,能够在保持数据完整性的前提下进一步降低功耗。
  这款DRAM芯片还具备良好的温度适应性,能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作,适用于各种恶劣的工业环境。其BGA封装形式不仅提供了优良的电气性能和散热能力,还能增强抗干扰能力,确保高频操作下的稳定性。
  HY5S6B6DLFP-BE 的16位数据总线宽度支持更高的数据吞吐能力,适用于对性能有一定要求的应用场景,如图像处理、数据缓冲和高速缓存等。同时,其64MB的容量对于许多嵌入式应用来说足够使用,能够在不增加系统复杂度的前提下满足存储需求。

应用

HY5S6B6DLFP-BE 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费类电子产品、智能仪表、显示模块、通信设备等场景。由于其HyperBus接口的设计,特别适合与带有HyperBus控制器的微处理器或FPGA配合使用,用于高速数据缓存、帧缓冲、临时数据存储等任务。此外,由于其低功耗特性,也常用于电池供电设备和需要长时间运行的自动化控制系统。

替代型号

ISSI IS66WVH8M16FFALL

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