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HY5S5B6GLFP-6E 发布时间 时间:2025/9/1 11:02:15 查看 阅读:10

HY5S5B6GLFP-6E 是一款由 Hynix(现为 SK Hynix)生产的低功耗 DDR5 SDRAM 存储器芯片,专为高性能、低功耗应用场景设计,适用于移动设备、嵌入式系统以及需要高效能内存解决方案的电子产品。

参数

容量:512Mb
  组织结构:16M x 32
  电压:1.0V
  封装:130-ball FBGA
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  数据速率:6400Mbps
  接口类型:DDR5 SDRAM

特性

HY5S5B6GLFP-6E 是一款面向未来高性能计算需求的 DDR5 SDRAM 芯片,其主要特性包括低功耗设计、高数据传输速率以及紧凑的封装形式。这款芯片采用 1.0V 的工作电压,显著降低了功耗,从而延长了电池供电设备的续航时间。其 6400Mbps 的数据速率支持高速数据访问,适用于图像处理、视频播放和高性能计算任务。
  此外,HY5S5B6GLFP-6E 采用了 130-ball FBGA 封装,减少了 PCB 板上的空间占用,并增强了散热性能,使其在高温环境下也能稳定运行。该芯片的宽温范围(-40°C 至 +85°C)使其适用于工业级设备和严苛环境下的应用。该器件还支持先进的时钟校准、命令地址校准等 DDR5 特有功能,以确保在高频下的稳定性和可靠性。

应用

HY5S5B6GLFP-6E 主要用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统以及网络通信设备。由于其高性能和低功耗特性,该芯片也非常适合用于图像传感器缓存、图形加速器内存以及实时数据处理系统。此外,它还可以用于需要高带宽和低延迟的边缘计算设备和工业控制模块。

替代型号

MT52L256M32A2B4-6A, K4Y4G324GE-BCRC

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