时间：2025/9/1 11:02:15
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HY5S5B6GLFP-6E 是一款由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的低功耗 DDR5 SDRAM 存储器芯片，专为高性能、低功耗应用场景设计，适用于移动设备、嵌入式系统以及需要高效能内存解决方案的电子产品。
容量：512Mb
组织结构：16M x 32
电压：1.0V
封装：130-ball FBGA
工作温度：-40°C 至 +85°C
数据速率：6400Mbps
接口类型：DDR5 SDRAM
HY5S5B6GLFP-6E 是一款面向未来高性能计算需求的 DDR5 SDRAM 芯片，其主要特性包括低功耗设计、高数据传输速率以及紧凑的封装形式。这款芯片采用 1.0V 的工作电压，显著降低了功耗，从而延长了电池供电设备的续航时间。其 6400Mbps 的数据速率支持高速数据访问，适用于图像处理、视频播放和高性能计算任务。
此外，HY5S5B6GLFP-6E 采用了 130-ball FBGA 封装，减少了 PCB 板上的空间占用，并增强了散热性能，使其在高温环境下也能稳定运行。该芯片的宽温范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于工业级设备和严苛环境下的应用。该器件还支持先进的时钟校准、命令地址校准等 DDR5 特有功能，以确保在高频下的稳定性和可靠性。
HY5S5B6GLFP-6E 主要用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统以及网络通信设备。由于其高性能和低功耗特性，该芯片也非常适合用于图像传感器缓存、图形加速器内存以及实时数据处理系统。此外，它还可以用于需要高带宽和低延迟的边缘计算设备和工业控制模块。
MT52L256M32A2B4-6A, K4Y4G324GE-BCRC
