HY5S2B6DLF-BE 时间：2025/9/1 21:50:25 阅读：22

HY5S2B6DLF-BE 是一款由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的低功耗、高性能的 SDRAM（同步动态随机存取存储器）芯片。该型号属于移动 DDR SDRAM（LPDDR2）系列，专为低电压操作而设计，适用于对功耗敏感的便携式设备，如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。该芯片采用 BGA（球栅阵列）封装，具有较小的物理尺寸和较高的存储密度。

参数

类型：移动 DDR SDRAM (LPDDR2)
　　容量：2Gb
　　数据速率：1066Mbps
　　电压：1.2V / 1.8V
　　封装类型：BGA
　　引脚数：124-pin
　　组织结构：x16
　　工作温度：-40°C 至 +85°C

特性

HY5S2B6DLF-BE 的主要特性之一是其低电压操作能力，支持 1.2V 和 1.8V 双电源电压，从而降低了功耗并提高了能效。该芯片支持 LPDDR2 的标准功能，包括自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）以及深度掉电模式等，这些功能有助于在不牺牲性能的前提下延长电池寿命。
　　此外，HY5S2B6DLF-BE 具有较高的数据传输速率，最高可达 1066Mbps，适用于需要高速数据处理的应用。其 124-pin BGA 封装形式确保了良好的信号完整性，并且适合高密度 PCB 设计。该芯片还具备较宽的工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业级和消费级应用环境。