HY5S2B6DLF-BE 是一款由 Hynix(现为 SK Hynix)生产的低功耗、高性能的 SDRAM(同步动态随机存取存储器)芯片。该型号属于移动 DDR SDRAM(LPDDR2)系列,专为低电压操作而设计,适用于对功耗敏感的便携式设备,如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。该芯片采用 BGA(球栅阵列)封装,具有较小的物理尺寸和较高的存储密度。
类型:移动 DDR SDRAM (LPDDR2)
容量:2Gb
数据速率:1066Mbps
电压:1.2V / 1.8V
封装类型:BGA
引脚数:124-pin
组织结构:x16
工作温度:-40°C 至 +85°C
HY5S2B6DLF-BE 的主要特性之一是其低电压操作能力,支持 1.2V 和 1.8V 双电源电压,从而降低了功耗并提高了能效。该芯片支持 LPDDR2 的标准功能,包括自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新(TCSR)以及深度掉电模式等,这些功能有助于在不牺牲性能的前提下延长电池寿命。
此外,HY5S2B6DLF-BE 具有较高的数据传输速率,最高可达 1066Mbps,适用于需要高速数据处理的应用。其 124-pin BGA 封装形式确保了良好的信号完整性,并且适合高密度 PCB 设计。该芯片还具备较宽的工作温度范围(-40°C 至 +85°C),适用于工业级和消费级应用环境。
由于其低功耗和高性能的特点,HY5S2B6DLF-BE 主要应用于移动设备和嵌入式系统中,例如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、数码相机、M2M(机器对机器)通信设备以及车载信息系统等。此外,它也可用于需要高效能内存解决方案的工业控制和物联网(IoT)设备中。
MT48LC16M1A2B4-6A, K4T1G164QE-L15E