容量：128MB
　　数据总线宽度：16位
　　电压：1.8V
　　封装类型：BGA
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：333Mbps
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　接口类型：LPDDR

HY5PS561621BFR-S5采用LPDDR技术，显著降低了功耗，非常适合电池供电设备的应用。该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、预充电掉电模式和自刷新模式，从而优化了不同工作条件下的能耗。此外，其166MHz的时钟频率和333Mbps的数据速率确保了高效的数据处理能力，能够满足多媒体和高性能计算的需求。
　　这款DRAM芯片采用了先进的CMOS工艺，提供了良好的信号完整性和抗干扰能力。其BGA封装形式不仅节省了空间，还增强了热管理和电气性能，适用于高密度PCB布局。HY5PS561621BFR-S5还支持突发传输模式，允许连续的数据访问，提高内存访问效率。此外，它具备自动刷新和自刷新功能，确保数据在低功耗状态下仍能保持稳定。
　　该芯片具有良好的兼容性，能够与多种主控芯片配合使用，适用于多种嵌入式系统架构。其设计也支持快速的初始化和配置，有助于缩短系统启动时间。HY5PS561621BFR-S5的工作温度范围较宽，可在工业级温度范围内稳定运行，适合各种严苛环境下的应用。

HY5PS561621BFR-S5广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等移动设备中，作为主存储器提供快速的数据访问和低功耗运行。它也常用于嵌入式系统、工业控制设备、车载电子系统以及消费类电子产品，如数字电视、机顶盒和多媒体播放器。此外，该芯片还可用于网络设备、便携式医疗设备和物联网（IoT）设备，满足这些设备对高性能、低功耗内存的需求。

HY5PS561621BFR-S6, MT48LC16M16A2B4-3A