容量：64MB
　　组织结构：16M x 4 x 4 Banks
　　电压：1.8V
　　数据速率：166MHz
　　封装类型：BGA
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：Mobile SDRAM
　　刷新周期：64ms
　　访问时间：5.4ns
　　功耗：典型工作电流约 100mA

HY5PS561621APF-C4是一款专为移动设备优化的DRAM芯片，具备多项高性能和低功耗特性。首先，它采用了低电压（1.8V）设计，有效降低了功耗，延长了电池寿命，非常适合便携式电子产品使用。其次，该芯片支持多种低功耗模式，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh），在设备处于待机或低功耗状态时能够显著减少能耗。
　　此外，HY5PS561621APF-C4支持突发模式访问，提高了数据传输效率，并具备4个内部存储体（Banks），增强了并发操作能力。其高速数据速率（166MHz）确保了快速的数据存取能力，满足了移动设备对于图像处理、视频播放和多任务处理的需求。
　　该芯片采用54球FBGA封装，体积小巧，便于集成在空间受限的移动设备中。其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）也使其适用于各种复杂环境下的设备应用。

HY5PS561621APF-C4主要用于需要低功耗和高性能存储的移动设备中，如智能手机、平板电脑、数码相机、MP4播放器等。此外，该芯片也可用于嵌入式系统、便携式医疗设备、车载导航系统以及工业控制系统等对功耗和性能有较高要求的应用场景。

HY57V561620AFP-C4, MT48LC16M16A2B4-6A, EM685165TS-6G