时间：2025/9/14 11:06:42
阅读：5
PUMD3,135 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款双通道小信号MOSFET晶体管阵列。该器件采用 SOT23 (TO-236AB) 封装，适用于需要高速开关和低功耗设计的电路应用。PUMD3,135 内部集成了两个独立的P沟道MOSFET晶体管，每个晶体管均可独立使用。该器件在便携式设备、电源管理和逻辑电路中具有广泛的应用。由于其紧凑的封装和优异的性能，PUMD3,135 常用于需要空间优化和高效率的电子系统中。
类型：P沟道MOSFET（双通道）
漏源电压（VDS）：-50V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100mA
功耗（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT23（TO-236AB）
输入电容（Ciss）：约9pF（典型值）
导通电阻（RDS(on)）：约3.5Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：约3.5nC
PUMD3,135 是一款专为小信号和低功耗应用设计的双P沟道MOSFET器件。其主要特性之一是具有低导通电阻（RDS(on)），这使得它在开关过程中能保持较低的压降和功率损耗。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并减少驱动电路的负担，适用于高频开关应用。此外，PUMD3,135 的漏极和源极之间的最大电压为-50V，适用于中等电压的控制和开关应用。
该器件的封装为SOT23，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。双通道设计允许两个独立的MOSFET同时集成在一个封装中，从而减少元件数量，提高系统的可靠性和装配效率。PUMD3,135 还具有良好的热稳定性和静电放电（ESD）保护能力，适用于各种环境条件下的工作。
另一个重要特性是其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），使其能够在极端温度环境下稳定运行，例如在汽车电子、工业控制和户外设备中。该器件的封装材料符合RoHS标准，无卤素，满足现代电子产品对环保的要求。
PUMD3,135 由于其双通道P沟道MOSFET的结构和紧凑的封装，被广泛应用于多个电子领域。一个常见的用途是作为负载开关，用于控制便携式设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的不同电源域，以实现节能和延长电池寿命。此外，PUMD3,135 也常用于电源管理系统中，作为电压调节电路中的开关元件。
在数字逻辑电路中，PUMD3,135 可用于构建电平转换器或缓冲器，帮助实现不同电压域之间的信号转换。在通信设备中，该器件可用于射频开关或低噪声放大器的偏置控制。工业自动化系统中，PUMD3,135 也用于控制传感器、继电器或LED指示灯等外围设备。
汽车电子中，PUMD3,135 可用于车身控制模块（BCM）中的灯光控制、电动窗控制或门锁系统。由于其宽温度范围和高可靠性，也适用于恶劣环境下的车载应用。
PUMD3,115
