HY5PS561621AFP-25 是一款由海力士(Hynix)生产的DDR4 ECC SDRAM内存芯片。这款芯片主要应用于对数据完整性要求较高的场景,如服务器、工作站和网络设备等。它通过内置的纠错码(ECC)功能,可以检测并自动纠正单比特错误,从而提高系统的可靠性和稳定性。
该芯片采用FBGA封装形式,具有高密度、低功耗和高性能的特点,符合现代计算设备对内存性能的需求。
容量:8Gb
位宽:x8/x16
I/O电压:1.2V
核心电压:1.2V
工作温度:-40℃至+85℃
封装形式:FBGA
引脚数:78-ball
数据速率:2133Mbps至3200Mbps
HY5PS561621AFP-25 提供了多种关键特性和优势:
1. 高速数据传输:支持高达3200Mbps的数据传输速率,满足高性能计算需求。
2. ECC纠错功能:能够自动检测并纠正单比特错误,显著降低数据出错的概率,提升系统可靠性。
3. 低功耗设计:采用先进的制造工艺,在保证性能的同时降低了功耗,有助于提高设备的整体能效。
4. 稳定性:经过严格的测试与验证,确保在各种环境条件下都能稳定运行。
5. 兼容性强:适用于多种主流主板和系统架构,方便用户进行集成和开发。
6. 小型化封装:使用78球FBGA封装,节省空间,适合高密度设计。
HY5PS561621AFP-25 主要用于需要高可靠性和高性能的领域,具体包括:
1. 服务器:为数据中心提供稳定的内存支持,确保大规模数据处理的准确性。
2. 工作站:满足工程设计、科学计算和视频编辑等高强度任务的需求。
3. 网络设备:应用于路由器、交换机等设备中,保障通信数据的完整性。
4. 医疗设备:支持医疗成像和其他关键任务型设备中的数据存储与处理。
5. 工业自动化:为工业控制和监控系统提供可靠的内存解决方案。
HY5PS561621AEP-25
HY5PS561621AFP-30
HY5PS561621AEP-30