时间：2025/9/2 5:51:06
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HY5PS561621AFP-2 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高速低功耗DDR2 SDRAM内存芯片，专为高性能系统设计。该芯片采用CMOS工艺制造，适用于需要高带宽和低延迟的嵌入式和计算系统。HY5PS561621AFP-2具有16M x 16的存储容量，支持同步读写操作，并采用先进的自刷新和电源管理技术，以降低功耗。
型号：HY5PS561621AFP-2
容量：256Mb
组织结构：16M x 16
电压：1.7V - 3.3V
速度等级：-2（对应时钟频率为166MHz，数据速率333Mbps）
封装：TSOP
数据宽度：16位
工作温度：工业级（-40°C至+85°C）
HY5PS561621AFP-2 DDR2 SDRAM芯片具备多项高性能和低功耗特性。其同步突发工作模式允许系统在高速时钟下进行连续数据访问，从而提升数据传输效率。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不丢失数据的情况下进入低功耗模式，非常适合对功耗敏感的应用场景。其差分时钟输入（CLK与CLK#）提高了时序稳定性，降低了时钟抖动对系统性能的影响。此外，该芯片内置突发长度控制、突发类型选择和延迟写入等功能，增强了内存系统的灵活性和可靠性。数据选通（DQS）与数据（DQ）之间的时序可调，支持精确的时序控制，有助于在高速环境下实现稳定的数据传输。
在电气特性方面，HY5PS561621AFP-2支持1.7V至3.3V的宽电压范围，适应不同系统的供电需求，并确保在不同环境下的稳定运行。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适用于紧凑型设计。该芯片还具备低待机电流和多种电源管理模式，有助于延长电池供电设备的续航时间。同时，其内部配置的延迟锁定环（DLL）能够精确对齐内部时钟与外部时钟，进一步优化数据访问的准确性。
HY5PS561621AFP-2广泛应用于需要高性能内存支持的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费电子产品和汽车电子系统。例如，该芯片可用于数字电视、机顶盒、高端路由器、便携式多媒体播放器以及智能监控设备等场景。由于其高带宽和低功耗特性，该芯片也适用于需要长时间稳定运行的工业自动化设备和数据采集系统。
HY5PS561621AFP-3, MT48LC16M2A2B4-2A
