供电电压：10V 至 20V
　　输出峰值电流：4A（典型值）
　　传播延迟时间：17ns（典型值）
　　上升时间：7ns（典型值）
　　下降时间：6ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOIC-16

IXDI614SIA 的核心特性在于其高速驱动能力和高输出电流能力，能够显著提升功率转换系统的效率和稳定性。该芯片内置欠压锁定（UVLO）保护功能，防止在电源电压不足时发生误操作，从而保护功率器件不受损害。此外，IXDI614SIA 还具备强大的抗干扰能力，确保在高噪声环境中依然保持稳定工作。
　　该驱动器采用半桥结构，适用于驱动高侧和低侧的 MOSFET 或 IGBT。其高速特性使其适用于高频开关应用，从而减小功率电路中电感和变压器的体积，提高系统功率密度。IXDI614SIA 的输入信号兼容 TTL 和 CMOS 电平，便于与各种控制器或微处理器连接。
　　在热管理方面，该芯片具备良好的热稳定性，能够在宽温度范围内正常工作，适用于工业级和车载级应用。其 SOIC-16 封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能。

IXDI614SIA 广泛应用于各类高频功率转换设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、UPS 系统以及工业自动化设备。由于其高速驱动能力和高输出电流，IXDI614SIA 特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统，如太阳能逆变器、电动汽车充电器等。此外，该芯片也可用于驱动高功率 LED 照明系统中的 MOSFET 器件。

IXDI614SIAS，IXDI614PI，IXDI414SIA，IXDI604SIA