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HY5PS2G431MP-E3 发布时间 时间:2025/9/1 14:26:25 查看 阅读:4

HY5PS2G431MP-E3 是由SK hynix(海力士)公司生产的一款高速低功耗DDR SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具有较高的数据传输速率和稳定性,适用于对内存性能有较高要求的电子设备,如网络设备、嵌入式系统、工业控制设备以及高端消费电子产品。

参数

容量:256MB
  数据宽度:16位
  工作电压:2.5V
  时钟频率:166MHz
  数据速率:333Mbps
  封装类型:TSOP
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

HY5PS2G431MP-E3 的主要特点包括低电压操作、高速数据传输能力以及良好的稳定性和兼容性。
  该芯片采用CMOS工艺制造,具有较低的功耗,适合用于对能耗敏感的应用场景。
  其333Mbps的数据速率确保了在高带宽需求下的系统性能,支持突发模式访问,提升数据吞吐效率。
  此外,该DDR SDRAM芯片具有自动刷新和自刷新功能,能够在不同工作状态下保持数据完整性,减少系统功耗。
  其工业级温度范围使其适用于各种严苛环境,确保在高温或低温条件下的可靠运行。

应用

HY5PS2G431MP-E3 主要应用于嵌入式系统、工业计算机、网络通信设备、视频监控系统、智能家电、车载电子设备以及需要高性能内存支持的消费类电子产品。
  在工业自动化控制系统中,它能够提供可靠的内存支持,确保系统在复杂环境下的稳定运行。
  在网络设备中,如路由器和交换机,该芯片可以满足高带宽数据处理的需求,提升整体性能。
  此外,它也适用于手持设备和便携式电子产品,提供良好的性能与能效平衡。

替代型号

HY57V281620FTP-6A、K4S561632K-UC60、MT48LC16M1A2B4-3

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