HY5PS1G831CFP 是由SK hynix(海力士)生产的一款高性能、低功耗的伪静态随机存取存储器(PSRAM),也被称为伪SRAM。该器件结合了DRAM的高密度和SRAM的简单接口,适用于需要中高密度存储且对功耗敏感的应用场景。HY5PS1G831CFP 提供1Gbit的存储容量,采用8位数据总线接口,封装形式为TSOP,适用于便携式设备、工业控制、通信模块等应用场景。
容量:1Gbit
组织结构:8M x 8
电压:2.3V - 3.6V
访问时间:55ns(最大)
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装:TSOP-II
数据总线宽度:8位
封装尺寸:54引脚
封装厚度:10mm
待机电流:10mA(典型)
读写电流:100mA(典型)
HY5PS1G831CFP 具备低功耗与高性能相结合的特点,适用于需要长时间运行但对功耗要求较高的系统。其内部集成刷新电路,外部控制器无需管理刷新操作,简化了系统设计。
该器件支持异步模式,兼容SRAM接口,使得设计人员可以像使用标准SRAM一样使用这款存储器,而无需更改现有的硬件架构。
此外,HY5PS1G831CFP 在待机模式下功耗极低,非常适合电池供电设备或需要节能设计的应用场景。其高集成度也使其在空间受限的设备中具备优势。
该器件还支持自动休眠模式和深度掉电模式,以进一步降低功耗。在深度掉电模式下,功耗可降至微安级别,非常适合移动设备和物联网设备使用。
HY5PS1G831CFP 采用TSOP封装,具备良好的散热性能和机械稳定性,适合在工业级温度范围内(-40°C 至 +85°C)稳定运行。
HY5PS1G831CFP 主要用于嵌入式系统、便携式电子产品、智能卡终端、工业控制设备、通信模块、医疗设备、物联网设备等领域。其高容量和低功耗特性使其非常适合用作缓存存储器或临时数据存储器。在无线通信设备中,如Wi-Fi模块、蓝牙模块、蜂窝通信模块中,HY5PS1G831CFP 可作为数据缓冲区,提高数据传输效率并降低主控处理器的负担。
在工业自动化和控制系统中,它可作为高速缓存用于临时存储传感器数据、控制指令或状态信息。此外,该器件也广泛用于图像处理设备、手持终端、打印机和扫描仪等产品中,作为临时图像或文档缓存使用。
由于其异步接口的兼容性,HY5PS1G831CFP 也常被用于需要扩展外部内存的单片机系统或FPGA系统中。
ISSI IS66WV1008EBLL、Winbond W949D6CBHX、Cypress CY7C1010BV25、Micron MT48LC16M1A2B4-6A