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HY5PS1G431CFP-S5-C 发布时间 时间:2025/9/1 17:43:14 查看 阅读:10

HY5PS1G431CFP-S5-C 是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于移动型LPDDR2 SDRAM(低功耗双倍数据速率第二代同步动态随机存取存储器)系列,专为移动设备和嵌入式系统设计,以提供高带宽、低功耗和紧凑的封装形式。该型号广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器以及其他对功耗和空间有严格要求的电子产品中。

参数

容量:1Gb(128MB)
  类型:LPDDR2 SDRAM
  封装类型:FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)
  引脚数:144-ball
  电压:1.2V~1.5V(核心电压)
  I/O电压:1.8V/2.5V(可变)
  数据速率:400MHz、533MHz、667MHz、800MHz(根据后缀不同)
  数据总线宽度:x32
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

HY5PS1G431CFP-S5-C 是一款高性能、低功耗的移动DRAM芯片,采用先进的CMOS技术制造,具有出色的能效表现。该芯片支持多种工作频率模式,最高可达800MHz,提供高达6.4GB/s的带宽,满足高吞吐量应用的需求。
  其FBGA封装形式提供了良好的电气性能和热性能,适合高密度PCB布局。该芯片支持自刷新、深度掉电模式、温度补偿自刷新等低功耗管理功能,有助于延长移动设备的电池寿命。
  此外,HY5PS1G431CFP-S5-C 还支持内部突发长度控制、自动预充电和刷新操作,提高了系统的稳定性和数据完整性。该芯片具有良好的兼容性,可与多种移动处理器和SoC平台配合使用,如Qualcomm Snapdragon、Samsung Exynos等。

应用

该芯片主要应用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、智能穿戴设备、车载信息系统以及各种嵌入式系统。由于其低功耗特性和高性能表现,HY5PS1G431CFP-S5-C 也非常适合用于图像处理、视频播放、多任务处理等内存需求较大的场景。

替代型号

HY5PS1G431DFP-S6-C, MT48LC16M16A2B4-6A, K4P5G324EB-FGC1

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