HY5PS1G163CFP-Y5 时间：2025/9/1 22:48:30 阅读：25

HY5PS1G163CFP-Y5 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动低功耗DDR2 SDRAM（LPDDR2）类别。该型号专为低功耗、高性能需求设计，适用于移动设备如智能手机、平板电脑、嵌入式系统等需要高带宽内存的应用场景。其封装形式为FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），具备较高的集成度和稳定的电气性能。

参数

容量：1Gb（128MB）
　　数据宽度：16位
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：100-ball
　　电压：1.2V - 1.8V（核心电压）
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：LPDDR2
　　频率：800MHz
　　数据速率：1600Mbps
　　封装高度：1.0mm max
　　组织结构：1G x16
　　制造工艺：54nm

特性

HY5PS1G163CFP-Y5 作为LPDDR2 SDRAM芯片，具备多项先进的技术特性，确保其在各种应用中都能表现出色。首先，它采用移动低功耗设计，显著降低了功耗，非常适合对电池寿命有严格要求的便携式设备。该芯片支持多种电源管理模式，包括自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），在这些模式下，DRAM可以保持数据不丢失的同时消耗极少的电力。
　　其次，该芯片的工作频率高达800MHz，数据传输速率达到1600Mbps，提供了出色的内存带宽，适用于需要快速数据处理的场景。其16位数据总线宽度进一步提升了数据吞吐量。此外，其核心电压为1.2V至1.8V，支持多种电压操作，增强了兼容性和灵活性。
　　该芯片采用100-ball FBGA封装，尺寸紧凑（通常为8mm x 12mm），适合高密度PCB布局。封装高度为1.0mm最大，满足现代移动设备对轻薄设计的要求。该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于广泛的工业环境，包括高温和低温条件下的运行。
　　此外，HY5PS1G163CFP-Y5 支持双倍数据速率技术（DDR），即在时钟信号的上升沿和下降沿都能传输数据，从而有效提高数据传输效率。其具有良好的电气性能和抗干扰能力，确保数据传输的稳定性和可靠性。该芯片还具备自动刷新和自刷新功能，能够在不依赖外部控制器的情况下保持数据完整性，减少系统功耗。

应用

HY5PS1G1G163CFP-Y5 主要应用于需要高性能、低功耗内存的移动电子设备。典型应用包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统、便携式多媒体播放器、工业控制系统、智能穿戴设备以及车载信息娱乐系统等。由于其支持宽温度范围和多种电源管理模式，该芯片也适用于对环境适应性有较高要求的工业和汽车电子应用。在这些系统中，HY5PS1G163CFP-Y5 可作为主内存或缓存使用，提供高速数据存取能力，支持操作系统运行、图形渲染、多任务处理等功能。此外，其紧凑的封装形式也使其适合用于空间受限的设计中。