HY5PS1G163CFP-Y5 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动低功耗DDR2 SDRAM(LPDDR2)类别。该型号专为低功耗、高性能需求设计,适用于移动设备如智能手机、平板电脑、嵌入式系统等需要高带宽内存的应用场景。其封装形式为FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array),具备较高的集成度和稳定的电气性能。
容量:1Gb(128MB)
数据宽度:16位
封装类型:FBGA
封装尺寸:100-ball
电压:1.2V - 1.8V(核心电压)
工作温度:-40°C 至 +85°C
接口类型:LPDDR2
频率:800MHz
数据速率:1600Mbps
封装高度:1.0mm max
组织结构:1G x16
制造工艺:54nm
HY5PS1G163CFP-Y5 作为LPDDR2 SDRAM芯片,具备多项先进的技术特性,确保其在各种应用中都能表现出色。首先,它采用移动低功耗设计,显著降低了功耗,非常适合对电池寿命有严格要求的便携式设备。该芯片支持多种电源管理模式,包括自刷新模式(Self-Refresh Mode)和深度掉电模式(Deep Power-Down Mode),在这些模式下,DRAM可以保持数据不丢失的同时消耗极少的电力。
其次,该芯片的工作频率高达800MHz,数据传输速率达到1600Mbps,提供了出色的内存带宽,适用于需要快速数据处理的场景。其16位数据总线宽度进一步提升了数据吞吐量。此外,其核心电压为1.2V至1.8V,支持多种电压操作,增强了兼容性和灵活性。
该芯片采用100-ball FBGA封装,尺寸紧凑(通常为8mm x 12mm),适合高密度PCB布局。封装高度为1.0mm最大,满足现代移动设备对轻薄设计的要求。该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于广泛的工业环境,包括高温和低温条件下的运行。
此外,HY5PS1G163CFP-Y5 支持双倍数据速率技术(DDR),即在时钟信号的上升沿和下降沿都能传输数据,从而有效提高数据传输效率。其具有良好的电气性能和抗干扰能力,确保数据传输的稳定性和可靠性。该芯片还具备自动刷新和自刷新功能,能够在不依赖外部控制器的情况下保持数据完整性,减少系统功耗。
HY5PS1G1G163CFP-Y5 主要应用于需要高性能、低功耗内存的移动电子设备。典型应用包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统、便携式多媒体播放器、工业控制系统、智能穿戴设备以及车载信息娱乐系统等。由于其支持宽温度范围和多种电源管理模式,该芯片也适用于对环境适应性有较高要求的工业和汽车电子应用。在这些系统中,HY5PS1G163CFP-Y5 可作为主内存或缓存使用,提供高速数据存取能力,支持操作系统运行、图形渲染、多任务处理等功能。此外,其紧凑的封装形式也使其适合用于空间受限的设计中。
MT48LC16M16A2B4-6A, K4P5G324EB-FGC12