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HY5PS1G1631CFP-S5-C 发布时间 时间:2025/9/2 9:54:43 查看 阅读:8

HY5PS1G1631CFP-S5-C是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的高速低功耗DRAM芯片,属于移动式低功耗双倍数据速率(LPDDR3)内存类别。该芯片专为移动设备、嵌入式系统以及对功耗敏感的应用而设计。它提供了高带宽的数据传输速率和较小的封装尺寸,适合于智能手机、平板电脑以及其他便携式电子设备。HY5PS1G1631CFP-S5-C的存储容量为1Gb(Gigabit),采用x16 I/O接口,能够在较低的电压下运行,从而有效延长电池寿命。

参数

容量:1Gb
  类型:LPDDR3 SDRAM
  封装类型:FBGA
  引脚数:168
  工作电压:1.8V/1.5V
  I/O接口宽度:x16
  最大时钟频率:667MHz
  数据速率:1334Mbps
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装尺寸:9.3mm x 11.5mm
  制造工艺:54nm

特性

HY5PS1G1631CFP-S5-C具有多项显著特性,使其在移动设备和低功耗应用中表现出色。首先,该芯片支持低电压运行,主要工作电压为1.8V或1.5V,能够有效降低功耗并延长设备电池续航时间。其次,其LPDDR3架构支持双倍数据速率传输,最高可达1334Mbps,提供较高的数据带宽,满足高性能处理器和图形处理需求。
  此外,该芯片采用小型FBGA封装(9.3mm x 11.5mm,168引脚),节省电路板空间,适合紧凑型移动设备设计。其制造工艺为54nm,提高了集成度并降低了功耗。该芯片还支持多种低功耗模式,如预充电功耗降低模式和自刷新模式,进一步优化系统能效。
  在稳定性方面,HY5PS1G1631CFP-S5-C可在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行,适应多种工作环境。同时,其内置的纠错和校验机制增强了数据传输的可靠性。此外,该芯片与JEDEC标准兼容,便于在多种平台中使用,并支持多bank架构,提高内存访问效率。

应用

HY5PS1G1631CFP-S5-C广泛应用于对功耗和空间要求较高的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、超极本、智能穿戴设备和嵌入式系统。它也适用于需要高效能内存的多媒体设备、工业控制系统和车载信息娱乐系统。此外,由于其低功耗特性,该芯片常用于需要延长电池续航时间的物联网(IoT)设备和移动计算平台。

替代型号

MT48LC16M1A2B4-6A, EM508M1632AB-6E, K4B1G1646Q-BCK0

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