时间：2025/6/27 17:23:00
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HY5PS12421CFP-E3 是一款由海力士（Hynix）生产的DDR3 SDRAM内存颗粒芯片，采用FBGA封装形式。这款芯片主要应用于计算机、服务器、嵌入式系统和其他需要高性能内存支持的设备中。DDR3技术以其更高的数据传输速率和更低的功耗而闻名，因此在许多现代电子设备中得到了广泛应用。
该型号具体为4Gb容量（512Mb x 8），工作电压为1.35V或1.5V，符合JEDEC标准。其设计注重稳定性和速度的平衡，适用于对内存性能要求较高的场景。
类型：DDR3 SDRAM
容量：4Gb (512Mb x 8)
电压：1.35V / 1.5V
频率：1600MHz
封装形式：FBGA
I/O配置：x8
数据宽度：8位
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚数：78-ball
接口类型：DDR3
HY5PS12421CFP-E3 提供了卓越的性能表现，具有以下特点：
1. 支持高达1600MHz的工作频率，能够满足高性能计算需求。
2. 符合JEDEC DDR3规范，确保与主流平台的兼容性。
3. 采用低功耗设计，工作电压可选1.35V或1.5V，有助于降低整体系统能耗。
4. 高可靠性，在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）保持稳定运行。
5. FBGA封装形式使其适合高密度、小型化的应用场景。
6. 支持突发长度为8的数据传输模式，优化了数据吞吐量。
7. 内置On-Die Termination (ODT) 功能，进一步提升了信号完整性。
HY5PS12421CFP-E3 芯片广泛应用于以下领域：
1. 台式电脑和笔记本电脑的内存条制造。
2. 工业控制设备中的数据存储模块。
3. 网络通信设备如路由器、交换机等的缓存系统。
4. 医疗设备和测试测量仪器中的高速数据处理单元。
5. 嵌入式系统及消费类电子产品中的扩展内存解决方案。
6. 数据中心和服务器环境下的大容量内存配置。
凭借其高效的性能和稳定性，这款芯片成为许多高要求应用的理想选择。
HY5PS1G821AFP-E3, H9TQ25ADFTMCUR_KUM, MT41K256M8HX-093
