类型：MOSFET或IGBT模块
　　最大漏极电流（ID）：300A
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.5mΩ
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：双列直插式（DIP）或表面贴装（SMD）
　　热阻（Rth）：约0.25℃/W
　　工作频率：最高可达100kHz

CRVT300 具备优异的电气性能和热管理能力，适用于高功率密度设计。其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该模块采用高耐压设计，最大漏源电压可达1200V，适合应用于高电压环境。CRVT300 的封装结构优化了散热路径，确保在高电流负载下仍能保持稳定的温度表现。其高频工作能力支持高频开关应用，适用于DC-DC转换器、逆变器和电机控制等高频场景。该器件还具备良好的短路耐受能力和过温保护特性，能够在极端工作条件下保持可靠性。
　　CRVT300 的模块化设计简化了PCB布局，提高了系统的可维护性。其引脚排列合理，减少了寄生电感的影响，有助于提高开关性能并减少电磁干扰（EMI）。此外，该器件支持并联使用，可以满足更高功率等级的应用需求。CRVT300 还具备较强的抗振和耐腐蚀能力，适合在工业环境中长期稳定运行。

CRVT300 主要用于各种高功率电子设备和系统，包括工业电源、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电机驱动器、焊接设备、电镀电源以及电动汽车充电系统等。在工业自动化领域，CRVT300 可用于变频器和伺服驱动器中的功率转换模块，实现高效的电能转换和控制。在可再生能源系统中，如光伏逆变器和风力发电变流器中，CRVT300 可用于直流到交流的高效转换。此外，该模块也可用于高功率LED照明驱动、电池管理系统（BMS）以及各类高功率开关电源设计中，提供稳定的功率输出和高效的能量转换。在电动汽车领域，CRVT300 可用于车载充电器（OBC）和电机控制器中，支持高效率和高可靠性的电力电子转换。

IXFN300N120, SEMIKRON SKM300GB128D, Infineon FF300R12KE3