容量：256Mb
　　组织结构：128M x16
　　电压：1.2V - 1.8V
　　接口类型：LPDDR2
　　封装形式：FBGA
　　数据速率：高达400MHz
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：108-ball FBGA

HY5PS121621F-Y5 是一款低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器（LPDDR2 SDRAM），其设计目标是满足便携式电子产品对高性能和低功耗的双重需求。该芯片支持多种低功耗操作模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电功率下降模式，从而在不牺牲性能的前提下显著降低能耗。此外，HY5PS121621F-Y5 支持双向数据选通（DQS）和差分时钟（CK/CK#）输入，以确保在高速数据传输下的稳定性与可靠性。其内部组织结构为128M x16，可提供32MB的数据存储容量，适用于图形处理、缓存存储和系统内存等多种应用需求。
　　这款DRAM芯片支持400MHz的时钟频率，数据传输速率高达800Mbps，能够满足高吞吐量应用场景的性能要求。其封装形式为108-ball FBGA，具有良好的散热性能和空间节省特性，适合紧凑型设备的设计。同时，该芯片的I/O接口电压（VDDQ）为1.2V至1.8V可调，核心电压（VDD）也为1.2V，使其能够在不同的系统平台上灵活使用。
　　HY5PS121621F-Y5 还具备出色的温度适应能力，可在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行，适用于工业级和车载级应用环境。该芯片的时序控制功能支持自动刷新和自刷新，有效延长了数据保持时间并降低了系统功耗。

HY5PS121621F-Y5 常用于需要低功耗和高数据带宽的嵌入式系统和移动设备中，例如智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、导航设备、智能穿戴设备、工业控制系统和车载信息娱乐系统等。由于其高性能与低功耗特性，它也适用于图形缓存、操作系统运行内存以及实时数据处理任务。

MT48LC16M2A2B4-6A, K4P5G324EB-FGC12