HY5PS121621F-C4 时间：2025/9/2 4:06:27 阅读：26

HY5PS121621F-C4 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高性能、低功耗的移动式双倍数据速率同步动态随机存取存储器（Mobile DDR SDRAM）。该芯片专为便携式电子设备设计，如智能手机、平板电脑和嵌入式系统，能够在较低电压下提供较高的数据传输率，从而延长设备的电池续航时间。

参数

类型：Mobile DDR SDRAM
　　容量：256MB
　　组织结构：16M x16
　　电压：1.7V - 3.3V（核心电压1.5V）
　　频率：最高可达200MHz
　　数据速率：400Mbps
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

HY5PS121621F-C4 具备多项先进的设计特性，以满足移动设备对性能与功耗的严格要求。其采用的Mobile DDR技术允许在每个时钟周期传输两次数据（上升沿和下降沿），从而显著提高数据带宽。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，以降低功耗并延长电池寿命。此外，它还具备低功耗待机模式和深度掉电模式，进一步优化了能耗表现。为了适应不同应用环境，HY5PS121621F-C4 在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作，确保了在各种极端条件下的可靠性。其TSOP封装形式具有较小的体积和良好的散热性能，非常适合空间受限的便携式设备设计。
　　该芯片的存储容量为256MB，组织结构为16M x16，提供较高的数据吞吐能力。工作电压范围为1.7V至3.3V，核心电压为1.5V，I/O电压可调，支持多种电源管理方案。最高工作频率可达200MHz，对应的数据传输速率为400Mbps，满足了高性能应用的需求。

应用

HY5PS121621F-C4 主要应用于需要高性能与低功耗结合的便携式电子产品中。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式游戏机、数码相机和视频记录设备。此外，它也适用于一些嵌入式系统，如工业控制设备、车载导航系统和物联网（IoT）设备。在这些应用中，HY5PS121621F-C4 能够提供快速的数据访问速度和较低的功耗，有助于提升整体系统性能并延长设备的使用时间。