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HY5PS121621F-C4 发布时间 时间:2025/9/2 4:06:27 查看 阅读:7

HY5PS121621F-C4 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款高性能、低功耗的移动式双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Mobile DDR SDRAM)。该芯片专为便携式电子设备设计,如智能手机、平板电脑和嵌入式系统,能够在较低电压下提供较高的数据传输率,从而延长设备的电池续航时间。

参数

类型:Mobile DDR SDRAM
  容量:256MB
  组织结构:16M x16
  电压:1.7V - 3.3V(核心电压1.5V)
  频率:最高可达200MHz
  数据速率:400Mbps
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

HY5PS121621F-C4 具备多项先进的设计特性,以满足移动设备对性能与功耗的严格要求。其采用的Mobile DDR技术允许在每个时钟周期传输两次数据(上升沿和下降沿),从而显著提高数据带宽。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,以降低功耗并延长电池寿命。此外,它还具备低功耗待机模式和深度掉电模式,进一步优化了能耗表现。为了适应不同应用环境,HY5PS121621F-C4 在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作,确保了在各种极端条件下的可靠性。其TSOP封装形式具有较小的体积和良好的散热性能,非常适合空间受限的便携式设备设计。
  该芯片的存储容量为256MB,组织结构为16M x16,提供较高的数据吞吐能力。工作电压范围为1.7V至3.3V,核心电压为1.5V,I/O电压可调,支持多种电源管理方案。最高工作频率可达200MHz,对应的数据传输速率为400Mbps,满足了高性能应用的需求。

应用

HY5PS121621F-C4 主要应用于需要高性能与低功耗结合的便携式电子产品中。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式游戏机、数码相机和视频记录设备。此外,它也适用于一些嵌入式系统,如工业控制设备、车载导航系统和物联网(IoT)设备。在这些应用中,HY5PS121621F-C4 能够提供快速的数据访问速度和较低的功耗,有助于提升整体系统性能并延长设备的使用时间。

替代型号

AS4C16M16A2B4-6A, MT48LC16M16A2B4-6A, K4T51163QF-LC

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