时间：2025/9/2 11:28:17
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HY5PS121621CFP-25 是由现代（Hynix，现为SK Hynix）生产的一款高速低功耗DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于DDR1代内存技术，适用于需要中等存储容量和较高数据传输速率的应用场景。该芯片采用CMOS工艺制造，具备高速数据存取能力，并广泛应用于工业控制、嵌入式系统、消费电子和通信设备中。HY5PS121621CFP-25 的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），便于在PCB上进行焊接和布局。该芯片的容量为256MB，工作电压为2.5V，支持自动刷新和自刷新功能，能够在不丢失数据的情况下进入低功耗模式。
容量：256MB
组织结构：16M x 16
电压：2.5V ±0.2V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数量：54-pin
最大频率：166MHz
数据速率：166MHz（DDR）
访问时间：5.4ns
刷新周期：64ms
数据输出使能时间：2.7ns
封装尺寸：8mm x 20mm
JEDEC标准：符合
最大工作电流：100mA（典型值）
HY5PS121621CFP-25 是一款具有低功耗特性的DDR SDRAM芯片，适用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统和便携式设备。该芯片采用双倍数据速率技术，可以在一个时钟周期内完成两次数据传输，从而显著提高了内存带宽。
其TSOP封装形式有助于降低封装高度，适用于对空间要求较高的设计。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不依赖外部控制器的情况下维持数据完整性，有效降低系统功耗。
该芯片的166MHz工作频率使其适用于中高端嵌入式处理器、图形控制器、网络设备等应用。此外，它还支持突发模式和预充电功能，能够提高内存访问效率并减少功耗。
在电气特性方面，HY5PS121621CFP-25 的工作电压为2.5V，允许在±0.2V范围内波动，以适应不同的电源供应环境。其访问时间为5.4ns，数据输出使能时间为2.7ns，能够在高速操作下保持稳定的数据传输性能。
从可靠性角度来看，该芯片经过严格的设计和测试，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内正常工作，适合在各种恶劣环境下使用。
HY5PS121621CFP-25 主要应用于需要中等容量高速存储的电子设备中。其低功耗和高稳定性的特点使其广泛用于嵌入式系统，如工业控制设备、数据采集系统、智能仪表、手持终端设备等。
此外，该芯片也可用于消费类电子产品，如数字电视、机顶盒、数码相框、多媒体播放器等。在这些设备中，它可作为主内存或缓存，用于存储和处理视频、音频和图像数据。
在通信领域，HY5PS121621CFP-25 也可用于网络设备，如路由器、交换机、无线接入点等，作为数据缓冲和临时存储单元，以提高系统的响应速度和稳定性。
由于其支持自动刷新和自刷新模式，因此也适用于需要长时间数据保持的设备，如医疗监测设备、安全监控系统等。
HY57V281620FTP-6A, MT48LC16M16A2B4-6A, K4S561632E-UCB0
