时间：2025/9/2 3:54:10
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HY5PS121621C-FR-Y5C 是由SK hynix（海力士）公司生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗、高可靠性和高速访问能力，广泛应用于网络设备、通信设备、工业控制设备以及其他需要高性能存储的场合。这款DRAM芯片采用16M x 16位的组织结构，工作电压为2.3V至3.6V，适合多种系统设计需求。
容量：256Mb
组织结构：16M x 16位
供电电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
封装尺寸：54引脚
时钟频率：最大166MHz
数据输入/输出模式：异步
刷新方式：自动刷新/自刷新
功耗：典型值150mA（工作模式）
HY5PS121621C-FR-Y5C 具备多项优异特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，其异步访问模式允许芯片在没有系统时钟同步的情况下进行数据读写，提高了系统的灵活性和兼容性。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新两种刷新方式，能够在不同工作条件下保持数据的完整性，同时降低功耗，适用于需要长时间运行的嵌入式系统和工业设备。
该芯片的供电电压范围较宽（2.3V至3.6V），使其能够适应不同的电源管理设计，增强了系统的兼容性和稳定性。工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级应用对环境温度的严苛要求，适用于户外设备、工业控制和通信基础设施。
封装形式为TSOP，具有体积小、重量轻、便于贴装等优点，适合高密度PCB布局。此外，该芯片的高速访问时间为5.4ns，支持高达166MHz的时钟频率，能够满足中高端嵌入式系统对存储速度的要求。
HY5PS121621C-FR-Y5C 广泛应用于各类需要高性能、低功耗和宽温范围存储解决方案的设备中。典型应用包括：工业控制系统、通信设备（如路由器和交换机）、网络设备、视频采集和处理设备、医疗仪器、嵌入式终端设备以及车载电子系统等。由于其异步接口和宽电压设计，它也适用于需要与多种处理器和控制器进行兼容的系统设计，如基于ARM、PowerPC或MIPS架构的嵌入式平台。
IS42S16160B-6T, CY7C1041CV, IDT71V124SA
