型号：HY5PS121621BFP-C4-T
　　类型：DRAM
　　容量：256MB
　　数据宽度：16位
　　时钟频率：166MHz
　　电压：2.3V - 3.6V
　　封装：FBGA
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行
　　刷新周期：64ms

HY5PS121621BFP-C4-T是一款高性能的DRAM芯片，具备166MHz的高时钟频率，能够提供快速的数据访问速度，适用于对性能要求较高的系统。该芯片采用16位数据宽度设计，可在单次操作中传输更多数据，从而提高系统效率。其工作电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电源适应性，能够在多种电源环境下稳定运行。此外，该芯片支持标准的DRAM刷新操作，确保数据在长时间运行中保持完整。
　　这款DRAM芯片的FBGA封装方式有助于提高空间利用率，适合在高密度PCB设计中使用。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在恶劣的环境条件下稳定工作，适用于工业控制、通信设备、视频监控系统等应用领域。此外，该芯片具备较低的功耗特性，有助于减少系统发热并延长设备的使用寿命。
　　在功能方面，HY5PS121621BFP-C4-T支持多种DRAM操作模式，包括突发模式和自刷新模式，能够根据系统需求灵活调整性能和功耗。其并行接口设计支持高速数据传输，适用于需要大量数据处理的应用场景。

HY5PS121621BFP-C4-T广泛应用于工业控制设备、网络路由器和交换机、嵌入式系统、视频监控设备、通信基站、测试测量仪器等高性能存储需求的领域。其高速度和低功耗特性也使其适用于便携式电子产品和智能家电。

IS42S16100E-6T、CY7C1041CV、IDT71V124SA、MT58L256A2B4-6A