类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：20A（在25°C）
　　RDS(on)：最大10mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8双封装（5mm x 6mm）
　　技术：沟槽式MOSFET

IDWD10G200C5 MOSFET具备多项先进的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流工作条件下实现极低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件的高栅极电荷（Qg）优化设计使其在高频开关应用中表现优异，有助于减小外部驱动电路的负担并降低开关损耗。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式结构，能够在保持低RDS(on)的同时提供更高的电流密度和更小的芯片面积，从而提高器件的集成度和可靠性。其高耐压能力（100V）使其适用于多种电压等级的功率转换系统，如汽车电子、工业电源和电信设备。
　　IDWD10G200C5的封装形式为PowerPAK SO-8双封装，具有良好的热管理性能，可有效散热并维持较低的结温，从而延长器件的使用寿命。该封装形式还具有较小的PCB占用空间，适合高密度布局设计。
　　此外，该器件具有出色的短路和过热耐受能力，能够在严苛的环境条件下保持稳定运行。其宽工作温度范围（-55°C至175°C）也使其适用于高温环境下的应用，例如汽车动力系统和工业自动化控制。

IDWD10G200C5广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：
　　1. DC-DC转换器：在高效率同步降压/升压转换器中作为主开关或同步整流器使用，以提高能量转换效率；
　　2. 负载开关：用于控制高功率负载的开启与关闭，如电机驱动、LED照明模块和电源管理系统；
　　3. 电源管理模块：用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的多相电源系统，实现高效率和紧凑型设计；
　　4. 汽车电子：适用于车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS）等汽车应用；
　　5. 工业控制：用于工业自动化设备中的电机驱动、PLC电源模块以及不间断电源（UPS）等场合。

SiSS100N10NM5T160K、NVTFS5C471NL、FDS6680、FDMS86180、IPB011N10NM5ATMA1