HY5PS121621B 时间：2025/9/2 18:01:00 阅读：21

HY5PS121621B 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于PSRAM（Pseudo Static RAM）类别，结合了DRAM的高密度和SRAM的易用性，适用于需要中等容量内存但对成本敏感的应用。HY5PS121621B 采用16位数据总线，具有128Mbit的存储容量，工作电压通常为3.3V，支持异步操作模式，使其非常适合嵌入式系统和便携式设备使用。

参数

容量：128Mbit
　　组织结构：128M x 16
　　电压：3.3V
　　访问时间：55ns/70ns 可选
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：异步
　　最大工作频率：约18MHz（根据访问时间）

特性

HY5PS121621B 的主要特性之一是其低功耗设计，适合电池供电设备。它支持自动刷新和自刷新模式，确保数据在低功耗状态下仍能保持。芯片内部集成了刷新电路，简化了外部控制器的设计。此外，该器件具有较高的抗干扰能力，能够在恶劣的工业环境中稳定工作。
　　其TSOP封装形式有助于提高散热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。该芯片的异步接口使其兼容多种微控制器和嵌入式系统，无需复杂的时序控制逻辑即可实现高速数据访问。此外，HY5PS121621B 还具备较高的可靠性和稳定性，符合工业级温度要求，适用于各种中高端嵌入式应用。

应用

HY5PS121621B 常用于需要中等容量存储的嵌入式系统，如工业控制设备、网络通信设备、智能仪表、手持终端、图像处理模块以及消费类电子产品。由于其异步接口和低功耗特性，它也广泛应用于需要临时数据缓存的场景，例如打印机、扫描仪和医疗设备中的图像存储。此外，该芯片还可用于需要非定制化内存扩展的微控制器系统，为设计者提供灵活的内存解决方案。