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HY5PS121621B 发布时间 时间:2025/9/2 18:01:00 查看 阅读:6

HY5PS121621B 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于PSRAM(Pseudo Static RAM)类别,结合了DRAM的高密度和SRAM的易用性,适用于需要中等容量内存但对成本敏感的应用。HY5PS121621B 采用16位数据总线,具有128Mbit的存储容量,工作电压通常为3.3V,支持异步操作模式,使其非常适合嵌入式系统和便携式设备使用。

参数

容量:128Mbit
  组织结构:128M x 16
  电压:3.3V
  访问时间:55ns/70ns 可选
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:异步
  最大工作频率:约18MHz(根据访问时间)

特性

HY5PS121621B 的主要特性之一是其低功耗设计,适合电池供电设备。它支持自动刷新和自刷新模式,确保数据在低功耗状态下仍能保持。芯片内部集成了刷新电路,简化了外部控制器的设计。此外,该器件具有较高的抗干扰能力,能够在恶劣的工业环境中稳定工作。
  其TSOP封装形式有助于提高散热性能和空间利用率,适合高密度PCB布局。该芯片的异步接口使其兼容多种微控制器和嵌入式系统,无需复杂的时序控制逻辑即可实现高速数据访问。此外,HY5PS121621B 还具备较高的可靠性和稳定性,符合工业级温度要求,适用于各种中高端嵌入式应用。

应用

HY5PS121621B 常用于需要中等容量存储的嵌入式系统,如工业控制设备、网络通信设备、智能仪表、手持终端、图像处理模块以及消费类电子产品。由于其异步接口和低功耗特性,它也广泛应用于需要临时数据缓存的场景,例如打印机、扫描仪和医疗设备中的图像存储。此外,该芯片还可用于需要非定制化内存扩展的微控制器系统,为设计者提供灵活的内存解决方案。

替代型号

IS61WV12816BLL-55BLI、CY7C1470V33-55BVI、A2V128162A1TG55

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