时间：2025/7/26 5:22:47
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S-1000N45-N4T1G是一款由SEMIHOW（赛米微尔）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了导通电阻和开关性能之间的平衡，从而提高了整体能效和系统可靠性。S-1000N45-N4T1G封装为TO-252（DPAK），便于安装和散热管理。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：100V
漏极电流(Id)：8A（最大值）
导通电阻(Rds(on))：45mΩ（典型值）
栅极阈值电压(Vgs(th))：1V~2.5V
最大功耗(Pd)：2.5W
工作温度范围：-55°C~150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
S-1000N45-N4T1G MOSFET具有多项关键特性，使其在各种电源管理和功率控制应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为45mΩ，这在高电流负载下可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件支持高达8A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。此外，S-1000N45-N4T1G采用了先进的沟槽式工艺，优化了开关性能，使其在高频开关应用中表现出较低的开关损耗。其栅极阈值电压范围为1V至2.5V，使得该器件能够与常见的逻辑电平驱动器兼容，简化了驱动电路设计。TO-252封装不仅提供了良好的热管理性能，还具备较小的封装体积，适用于紧凑型PCB布局。此外，S-1000N45-N4T1G在高温环境下仍能保持稳定工作，其最大工作温度可达150°C，确保了在严苛工况下的可靠性。该器件还内置了静电放电（ESD）保护功能，提高了器件在实际应用中的耐用性。
S-1000N45-N4T1G广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动电路以及电池管理系统（BMS）。在电源适配器和充电器设计中，S-1000N45-N4T1G能够有效提高转换效率并减少热量产生。在工业自动化和消费电子产品中，它可用于控制高功率负载，如LED照明、加热元件和小型电机。此外，由于其良好的热稳定性和高频响应能力，该MOSFET也适用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中的功率开关。
Si4446BDY, IRFZ44N, FDS4410, AOD4144
