HY5MS7B2BLFP-6E 时间：2025/9/2 7:24:52 阅读：3

HY5MS7B2BLFP-6E 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的高速、低功耗的同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片，属于移动SDRAM（Mobile SDRAM）系列，广泛应用于便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和便携式游戏设备等。该芯片采用了先进的CMOS技术，支持低电压操作，以延长电池续航时间。

参数

容量：128MB
　　数据宽度：16位
　　工作电压：1.7V - 3.3V（典型值为2.5V）
　　时钟频率：最大166MHz
　　封装类型：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　存储架构：SDRAM

特性

HY5MS7B2BLFP-6E 具有低功耗特性，非常适合电池供电设备使用。其低电压工作范围（1.7V至3.3V）允许其在不同系统电压下灵活使用，提高了设计的灵活性。该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，有助于在保持数据完整性的同时进一步降低功耗。此外，其166MHz的时钟频率提供了较高的数据传输速率，满足了高性能应用的需求。
　　该SDRAM芯片采用了先进的CMOS工艺，提高了芯片的稳定性和可靠性。其FBGA封装形式具有较小的封装尺寸和较低的引脚电感，适用于高密度PCB布局。HY5MS7B2BLFP-6E还支持突发访问模式，可以提高数据访问效率。此外，该芯片具有良好的热稳定性，能够在宽温度范围内稳定运行，适用于工业级应用环境。

应用

HY5MS7B2BLFP-6E 主要用于需要中等容量高速存储的便携式电子产品中，例如智能手机、平板电脑、便携式游戏机、手持式测试仪器以及工业控制设备等。其低功耗和高性能特性使其成为需要频繁访问内存的图形处理和缓存应用的理想选择。此外，该芯片也适用于嵌入式系统中，作为主存储器或帧缓存器，用于图像处理和视频播放等场景。