您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HY5MS7B2BLFP-6E-C

HY5MS7B2BLFP-6E-C 发布时间 时间:2025/9/2 10:47:03 查看 阅读:11

HY5MS7B2BLFP-6E-C 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的高速低功耗DDR SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用BGA(Ball Grid Array)封装,适用于需要高性能和高存储密度的电子设备,如嵌入式系统、工业控制设备和网络设备等。这款DDR SDRAM芯片的工作电压为2.3V至3.6V,支持低功耗模式,适用于对功耗敏感的应用场景。

参数

类型:DRAM
  子类型:DDR SDRAM
  容量:128Mbit
  组织结构:16M x 8
  封装类型:BGA
  引脚数:54
  工作电压:2.3V - 3.6V
  时钟频率:最大支持166MHz
  数据速率:333Mbps
  数据宽度:8位
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口标准:LVTTL
  刷新周期:64ms

特性

HY5MS7B2BLFP-6E-C 具备高速数据传输能力,最高可达333Mbps,满足高速数据处理需求。
  该芯片支持低功耗模式,有助于延长设备电池寿命,适合便携式和低功耗应用场景。
  其BGA封装形式提供了良好的电气性能和热稳定性,适合高密度PCB布局。
  工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),使其适用于多种电源设计环境。
  支持自动刷新和自刷新功能,有效减少外部控制器的负担,提升系统稳定性。
  具备较强的温度适应能力,可在-40°C至+85°C范围内稳定工作,适用于工业级应用环境。
  该芯片的DDR SDRAM架构支持突发传输模式,提高了数据访问效率和系统性能。

应用

HY5MS7B2BLFP-6E-C 主要用于需要高性能和低功耗存储解决方案的电子设备中。例如,在工业控制系统中,该芯片可作为主存储器使用,提供快速的数据存取能力。
  在网络设备中,如路由器和交换机,该芯片可用于缓存数据包,提高网络传输效率。
  在嵌入式系统中,该芯片可作为程序存储器或数据缓冲器,支持复杂的数据处理任务。
  此外,该芯片也适用于消费类电子产品,如便携式媒体播放器和智能家电,提供可靠的存储支持。
  由于其宽温工作范围,也适合在汽车电子系统中使用,如车载导航系统和行车记录仪。
  对于需要长时间稳定运行的医疗设备和测试仪器,该芯片也是一款理想的存储解决方案。

替代型号

MT48LC16M16A2B4-6A, K4S641632E-TC75

HY5MS7B2BLFP-6E-C推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价