时间：2025/6/3 19:27:38
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GA0603Y123MXXAP31G 是一款由罗姆（ROHM）生产的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效能的电源管理和电机驱动等应用。该芯片采用 Trench 工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，其封装形式为 LFPAK88，这种封装具备出色的散热性能和电气特性，适合高电流、高频率的应用场景。
型号：GA0603Y123MXXAP31G
类型：N 沟道功率 MOSFET
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：39A
导通电阻 Rds(on)：1.2mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷 Qg：75nC
开关时间：t_on=14ns, t_off=30ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK88
GA0603Y123MXXAP31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 1.2mΩ，可显著降低导通损耗。
2. 高额定电流能力 (39A)，适用于大功率应用。
3. 快速开关速度和低栅极电荷，有助于减少开关损耗。
4. 采用先进的 LFPAK88 封装技术，提供卓越的热性能和电气性能。
5. 宽广的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车电子应用中的可靠性。
7. 无铅且符合 RoHS 标准，绿色环保。
这些特性使 GA0603Y123MXXAP31G 成为工业设备、电动汽车以及消费类电子产品中高效电源管理的理想选择。
GA0603Y123MXXAP31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动，如电动车窗、座椅调节、风扇和泵等。
3. 工业自动化设备中的功率控制。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
5. LED 驱动器和其他需要高效率功率转换的场合。
由于其高效的功率处理能力和稳定的性能表现，该芯片特别适合要求高可靠性和高效率的应用场景。
IPA60R120PFC88AL
STP36NF06L
FDP5800
