时间：2025/7/11 12:01:41
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202S43N221JV4E 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理和电池保护等场景。
型号：202S43N221JV4E
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：43A
导通电阻：2.2mΩ
总栅极电荷：85nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247
202S43N221JV4E 具有低导通电阻 (Rds(on))，可以显著降低功率损耗，提升系统效率。同时，其快速的开关性能减少了开关损耗，在高频工作条件下表现出色。此外，该器件还具备高可靠性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
这款 MOSFET 的总栅极电荷较低，从而降低了驱动功耗，并且优化了开关性能，非常适合要求高效能的应用场景。另外，它具有良好的热性能，能够有效散热，确保长时间运行时的稳定性。
202S43N221JV4E 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动控制
- 逆变器
- UPS 系统
- 电池管理系统 (BMS)
由于其优异的性能和可靠性，这款 MOSFET 特别适用于需要高效能和高频率工作的工业及消费类电子产品。
202S43N221JW4E, IRF2907ZPBF, FDP15N65A
